[发明专利]半导体器件制造工艺和半导体器件有效
| 申请号： | 201410199414.1 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097466B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 工艺 | ||
1.一种半导体器件制造工艺，其特征在于，包括对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理，所述对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理包括：
步骤S1：将纳米级尺寸的金属粉末(11)与溶剂混合，以形成所述液相金属粉末(10)，所述溶剂为去离子水或有机溶剂；
步骤S2：将所述液相金属粉末(10)旋涂在所述晶圆表面上；
所述半导体器件制造工艺还包括在所述对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理前的预处理步骤，所述预处理步骤包括：
步骤S10：在衬底(20)上沉积介质层(30)；
步骤S20：在所述介质层(30)上涂覆光刻胶；
步骤S30：对所述介质层(30)进行刻蚀得到通孔(40)，所述光刻胶的一部分作为所述通孔(40)的刻蚀掩膜，所述介质层(30)的上表面和所述通孔(40)为所述晶圆表面，并且所述液相金属粉末(10)与所述介质层(30)的上表面接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇或乙二醇甲醚。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述半导体器件制造工艺还包括在所述对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理后的第一次退火处理，以使所述液相金属粉末(10)中的溶剂蒸发、使所述液相金属粉末(10)中的金属粉末(11)沉积。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述半导体器件制造工艺还包括在所述步骤S30之后的步骤S40：对所述晶圆表面进行清洗处理。
5.根据权利要求3所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述半导体器件制造工艺还包括在所述第一次退火处理后的：
步骤S100：第二次退火处理，以使所述金属粉末(11)和一部分的衬底(20)反应形成金属硅化物(12)；
步骤S200：使用清洗剂通过湿法去除未反应的所述金属粉末(11)；
步骤S300：第三次退火处理，以使所述金属粉末(11)和所述一部分的衬底(20)完全反应形成所述金属硅化物(12)。
6.根据权利要求5所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述第二次退火处理为低温退火。
7.根据权利要求5所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述第三次退火处理为高温退火。
8.根据权利要求5所述的半导体器件制造工艺，其特征在于，所述清洗剂是硫酸和双氧水配制而成的。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是由权利要求1至8中任一项所述的半导体器件制造工艺制造而成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
