[发明专利]聚焦离子束分析方法

权利要求书

1.一种聚焦离子束分析方法，包括，

步骤一：选择待分析样品；

步骤二：利用离子束刻蚀所述待分析样品，以获得切割截面；

步骤三：利用电子束照射观察是否出现电荷沉积效应，当未出现电荷沉积效应时，获得电子束图像；当出现电荷沉积效应时，在所述切割截面的侧面上形成有机源层并重新获得电子束图像；

步骤四：判断获得的电子束图像是否显示目标截面，当电子束图像显示非目标截面时，重复步骤二至步骤四，直至显示目标截面；当电子束图像显示目标截面时，导出获得的电子束图像，并进行失效分析。

2.如权利要求1所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，在步骤一和步骤二之间，还包括：在所述待分析样品表面采用电子束辅助沉积法形成电子保护层以及采用离子束辅助沉积法在所述电子保护层表面形成离子保护层。

3.如权利要求2所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，所述电子保护层和离子保护层的材料均为铂和钨。

4.如权利要求2所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，所述电子保护层的厚度为0.2μm-0.5μm。

5.如权利要求2所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，所述离子保护层的厚度为0.5μm-0.8μm。

6.如权利要求1所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，在所述步骤二中，离子束的刻蚀能量为5kev-15kev，电流300pA-2000pA。

7.如权利要求1所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，在所述步骤二中，切割截面的切割深度为2μm-3μm。

8.如权利要求1所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，形成所述有机源层的气体离子源为铂或钨。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，所述有机源层采用电子束辅助沉积法形成，沉积束的直径尺寸为4～5，加速电压为4KeV～5KeV，沉积时间为25秒～35秒。

10.如权利要求9所述的聚焦离子束分析方法，其特征在于，所述有机源层厚度为1nm～10nm。