[发明专利]一种去除多晶太阳能电池银电极表面氧化物的处理方法无效
| 申请号: | 201410176868.7 | 申请日: | 2014-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN103928574A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
| 发明(设计)人: | 朱金浩;蒋剑波;王猛 | 申请(专利权)人: | 浙江光隆能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 314406 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 去除 多晶 太阳能电池 电极 表面 氧化物 处理 方法 | ||
技术领域
本发明属于多晶太阳能电池技术领域,特别是涉及一种去除多晶太阳能电池银电极氧化物的处理方法。
背景技术
传统多晶太阳能电池的生产工序主要为:制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、印刷背面电极、烘干、印刷背面电场、烘干、印刷正面电极、烧结和测试分选。其中印刷背面电极及印刷正面电极工序是把适量的浆料放置于丝网之上,用刮刀涂抹银浆料,使其均匀填充于网孔之中,刮刀在移动的过程中把浆料通过丝网网孔挤压到硅片上,印刷完成后,硅片被放入烘干炉烘干后经高温炉里烧结,在太阳能电池的正面(面向太阳的一面)形成正面电极,在太阳能电池的背面形成背面电极。在组件生产时,焊带焊接在太阳能电池正面电极及背面电极上,多个焊接后的太阳能电池片正、背面电极串联并经层压后形成太阳能电池组件。
太阳电池正面及背面银电极在自然环境中放置容易氧化,导致电极表面发黄,影响成品外观及组件焊接附着力。由于太阳能组件的设计使用寿命为25年左右,且组件通常安装在户外,每天要承受几十摄氏度的温度变化,而焊带基材为纯铜,铜的膨胀系数约为硅(电池片)的6倍,只要有温度变化,焊带与电池片都会受力,因此焊接附着力不足时会导致组件失效。
太阳电池正面及背面银电极在自然环境中放置而被氧化,导致电极表面发黄,影响镀锡铜带焊接附着力的问题,是太阳能电池制造行业普遍遇到的必须有效解决的技术问题。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的问题,提出了一种去除多晶太阳电池银电极表面氧化物的处理方法,保证多晶太阳电池的银电极表面颜色合格,降低电池片降级率,以保证多晶太阳能电池背面银电极、正面银电极焊接时的附着力合格。
本发明解决技术问题所采取的技术方案是,一种去除多晶太阳电池银电极表面氧化物的处理方法,其特征在于,包含如下步骤:
第一步:将正面银电极表面发黄和/或背面银电极表面发黄的电池片分检出来并分类;
第二步:将由第一步分检出来并分类的电池片以正面朝下背面朝上放置;
第三步:将第二步以正面朝下背面朝上放置的电池片等间隔连续放入烧结炉进行重烧处理。
作为优选,所述烧结炉烧结区第1、2温区设定为520~560℃,第3至5温区设定为600℃,第6温区设定为680~700℃,烧结带速设定为4.8~5m/min。
作为优选,所述的烧结炉为Despatch烧结炉。
采用本发明方法,将正面银电极表面发黄和/或背面银电极表面发黄的电池片放入烧结炉进行重烧处理,可以去除银电极表面氧化物,保证多晶太阳电池的银电极表面颜色合格,降低电池片降级率,从而保证多晶太阳能电池焊接时的附着力合格。烧结炉烧结区温度的设定以及烧结带速的设定,这些改进的重烧参数可以很好地解决背面电场容易产生铝苞的问题,避免多晶太阳能电池外观降级。
本发明通过对银电极表面发黄的电池片进行重烧处理,有效去除了表面氧化物,确保镀锡铜带焊接的附着力达到规定的要求;方法科学合理、简单可行,具有显著的积极效果。
附图说明
图1为本发明方法中电池片重烧时Despatch烧结炉的设定烧结曲线。
图2为本发明方法中电池片重烧时表面实际温度曲线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明技术方案进行详细说明。
首先进行外观挑选,将正面银电极发黄和/或背面银电极发黄的电池片分检出来并分类;然后将分类好的电池片以正面朝下背面朝上的朝向放置;再将这些电池片等间隔连续放入烧结炉进行重烧处理。烧结炉烘干区温度设定为380~420℃,烧结炉烧结区第1、2温区设定为520~560℃,第3至5温区设定为600℃,第6温区设定为680~700℃,烧结带速设定为4.8~5m/min。对完成重烧的太阳能电池银电极附着力按照下述方法进行测试。
太阳能电池银电极附着力测试方法为:使用镀层为60%Sn40%Pb厚0.23mm的镀锡铜带、免清洗助焊剂、150W电烙铁、烙铁头温度350℃±20℃,加热时间(2~3)s,将镀锡铜带焊接于电池银电极上,观察其可焊性。然后把焊好的电池片固定在夹具上,拉力方向与硅片成180°,用卧式拉力机匀速剥离,记录其焊接拉力值的大小,拉力值大于2.5N时银电极附着力合格。
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





