[发明专利]一种制备有序大结构单元氧化铝膜的方法

权利要求书

1.一种制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将高纯铝片依次置于无水乙醇和去离子水中进行清洗，得到干净的铝片；

（2）以步骤（1）得到的干净铝片为阳极，石墨为阴极，在高氯酸和无水乙醇的混合溶液中电化学抛光，得到抛光的铝片；

（3）以步骤（2）得到的抛光的铝片为阳极，石墨为阴极，草酸‐乙醇‐水混合溶液为电解液来进行电解过程，电解温度为0～5℃，以0.5～2V/s的速度来进行线性升压直至电流密度急剧增大产生电流雪崩现象；限定电流密度为295～505A/m²，当电压为137～182V时停止电解得到带有铝基底的氧化铝膜；

（4）将步骤（3）得到的带有铝基底的氧化铝膜置于饱和氯化铜溶液中进行置换反应，之后用去离子水进行清洗，得到独立的有序大结构单元氧化铝膜；

2.根据权利要求1所述的制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，步骤（1）中所述高纯铝片的质量分数≥99.99％。

3.根据权利要求1所述的制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，所述草酸‐乙醇‐水混合溶液为草酸水溶液和无水乙醇的混合溶液；草酸水溶液和无水乙醇按体积比为3～500：1，草酸水溶液的浓度为0.28～0.32mol/L。

4.根据权利要求1所述的制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，所述高氯酸和无水乙醇体积比为1：4。

5.根据权利要求1所述的制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，所述电化学抛光的温度为0～5℃。

6.根据权利要求1所述的制备有序大结构单元氧化铝膜的方法，其特征在于，所述电化学抛光的电压为18～23V。