[发明专利]描绘装置和物品的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及描绘(drawing)装置和物品的制造方法。

背景技术

使用诸如电子束的带电粒子束的描绘装置执行重叠描绘，该重叠描绘对重叠于在基板的各曝光(shot)区域中形成的图案(以下，称为“曝光图案”)上的新图案进行描绘。

在重叠描绘中，首先，基板基于多个曝光图案的设计阵列坐标值移动，并且，实际测量多个曝光图案中的一些与基准位置对准时的位置。然后，假定曝光图案的设计阵列坐标值与用于对准的实际阵列坐标值具有包含预定误差的唯一关系，则决定误差参数，使得多个测量值与用于对准的实际阵列坐标值之间的平均偏差被最小化。基于误差参数和曝光图案的设计阵列坐标值获得曝光图案的实际阵列坐标值。基板根据实际阵列坐标值被定位，并且，图案被描绘。

在这种重叠描绘中，曝光图案的畸变(例如，膨胀/收缩和旋转)以及曝光图案的实际阵列坐标值也被测量。由于形成图案时的诸如描绘装置的光刻装置的因素或者由于由形成图案时的热处理导致的基板的变形，曝光图案的畸变出现。

图5A是示出在基板SB上形成的5(行)×5(列)曝光图案的阵列的示图。实际曝光图案SP由实线表示，设计的曝光图案SP′由虚线表示。图5B示出通过包括多个带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3的描绘装置对基板SB(实际曝光图案SP)执行重叠描绘的状态。参照图5B，带电粒子光学系统CP1～CP3中的每一个向基板SB发射5(行)×5(列)带电粒子束。当保持基板SB的台架关于带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3向上侧移动时，带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3分别描绘条带区域S1、S2和S3(条带描绘)。在该条带描绘中，通过在基板移动方向上排列的带电粒子光学系统的带电粒子束对基板的相同位置执行多重照射。照射被开/关控制，由此控制基板上的带电粒子束的照射剂量。

各带电粒子光学系统包含被配置为偏转带电粒子束的偏转器。该偏转器一并调整基板上的多个带电粒子束的(由其限定的描绘区域的)位置。在条带描绘中，在由偏转器基于基板上的曝光图案的实际位置调整带电粒子光学系统的描绘区域的位置的同时，新图案被重叠并描绘于曝光图案上。

但是，取决于曝光图案的尺寸，带电粒子光学系统的描绘区域可跨过在与基板移动方向垂直的方向上相邻的曝光图案(即，位于两个相邻的曝光图案两者上)，类似于图5B所示的带电粒子光学系统CP3。这产生以下的问题。事实上，基板上的曝光图案不总是沿设计阵列坐标周期性地排列(即，曝光图案的位置偏移)。因此，有必要在关于曝光图案调整(校正)描绘区域的位置的同时执行描绘。但是，当带电粒子光学系统的描绘区域跨过在与基板移动方向垂直的方向上相邻的曝光图案时，只能仅仅关于曝光图案中的一个校正带电粒子光学系统的描绘区域的位置。

为了解决该问题，日本专利公开No.2004-172428提出了能够机械调整多个带电粒子光学系统的光轴之间的距离的描绘装置。

但是，在该常规的技术中，机械调整多个带电粒子光学系统的光轴之间的距离的精度不足，不能满足在近年的重叠描绘中要求的重叠精度。

发明内容

例如，本发明提供了在通过使用多个带电粒子光学系统在基板上执行描绘时在重叠精度方面有利的描绘装置。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于用带电粒子束在基板上执行描绘的描绘装置，所述装置包括：多个带电粒子光学系统，每个带电粒子光学系统具有单个地消隐在第一方向上排列的多个带电粒子束的消隐功能，所述多个带电粒子光学系统以一间隔在第一方向上被布置；台架，被配置为保持基板并且能够移动；以及控制器，被配置为执行对通过台架的移动和所述多个带电粒子光学系统中的每一个的消隐功能而执行的描绘的控制，其中，控制器被配置为关于所述多个带电粒子光学系统中的、来自其的多个带电粒子束到达在基板上形成并且在第一方向上彼此相邻的第一区域和第二区域的第一带电粒子光学系统执行控制，以使得在台架在第二方向上移动的情况下用该多个带电粒子束中的第一部分带电粒子束仅在第一区域和第二区域中的一个中执行描绘。