[发明专利]一种搪瓷传热元件及其涂搪方法有效
申请号: | 201410168861.0 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN103993316B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 张虎 | 申请(专利权)人: | 昆山美邦环境科技股份有限公司 |
主分类号: | C23D5/00 | 分类号: | C23D5/00;C03C8/16;C03C8/06 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林,孙敏 |
地址: | 215316 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 搪瓷 传热 元件 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种涂搪方法,具体涉及一种搪瓷传热元件的涂搪方法以及通过涂搪方法制备得到的搪瓷传热元件,属于涂搪技术领域。
背景技术
目前对于传热元件的涂搪工艺,国内主要使用两种:
一是静电干法涂搪方法,静电干法涂搪就是利用静电吸附的原理,使用静电喷枪,使经过处理的瓷釉粒子带上静电,然后吸附在金属件上。但这种方法的不足在于,在换热元件的凹槽处电力线会比较稀疏,形成法拉第笼,从而使搪瓷釉在凹槽处难于涂搪上搪瓷釉,从而造成此处的缺陷。中国专利200720102623.5公开了一种一次静电喷涂传热元件,在金属基体表面上静电喷涂搪瓷层,搪瓷层的结构比二次涂搪方法面釉更加致密。
二是湿法涂搪方法,湿法涂搪就是瓷釉利用水作为介质,将瓷釉悬浮于水中,使之形成一种浆状的物质,谓之釉浆,这种釉浆具有一定的流动度与停留度,然后使用浸渍或者喷涂的方法使之附着在传热元件表面,浸渍方法是将工件浸入釉浆中再提起再利用转、甩、扑、顿等动作将其涂层均匀化,但这种方法效率低、纯手工,其质量依赖于工人的技术水平高低,这种方法制作的搪瓷传热元件其边部基本没有搪瓷层包裹,在应用时腐蚀会率先从这些没有包裹搪瓷层的边缘开始,从而腐蚀掉整片搪瓷传热元件。
近年来,有将湿法喷涂与静电干法相结合的涂搪方法,中国专利201110098300.4公开了一种干湿法相结合搪瓷换热器的制作方法,采用先湿法再静电干法喷涂一次烧成,结合了湿法、干法的优点,克服了干、湿法的缺点使搪瓷传热元件理化性能、质量明显提高。本单位申请的中国专利201110377565.8公开了一种搪瓷传热元件的涂搪方法,利用静电喷枪喷涂静电粉末到传热元件的表面,而基体的沟槽、凹陷等静电干法喷涂不易喷到的地方使用湿法喷涂主法,传热元件搪瓷层的包裹完全率进一步提高。
上述几种搪瓷传热元件的涂搪方法,各有其缺点:静电喷涂法存在沟槽等地方喷涂不到的问题;湿法喷涂存在边缘缺少搪瓷层包裹且效率低下的问题;干湿法釉料不易匹配,生产效率不高,沟槽处的湿法喷涂需要大量的人工,同时其静电粉末目前依然依赖进口,成本高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种生产效率高且传热元件边缘包裹效果好的一种搪瓷传热元件的涂搪方法。
本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种搪瓷传热元件的涂搪方法,包括以下几个步骤:
(1) 浸搪:将经过除油除锈处理的待涂搪的传热元件坯件浸没入釉浆缸中,然后再以0.5~1米/秒的速度匀速提起;
(2) 刮边:使用一表面缠绕有蓬松的塑料丝的滚筒在传热元件坯件下部滚动,将传热元件坯件下部堆集的釉浆刮除;
(3) 烘干:将步骤(2)中的传热元件坯件置于150℃以下的环烘干炉中烘干;
(4) 静电喷涂补边:将完全干燥的传热元件坯件置于静电喷涂房,用静电喷枪对其边部进行搪瓷静电粉末喷涂包边;
(5) 烧结:将喷涂后的传热元件坯件置于烧成炉中,在800℃以上烧成2~10分钟,出炉冷却。
其中,步骤(1)中的釉浆是通过将瓷釉、粘土、硼砂、亚硝酸钠、石英砂,水和羧甲基纤维素钠混合研磨至D50为25~35微米的悬浮液而得到的,其中,每100公斤的瓷釉,混合5~7公斤粘土、0.1~0.4公斤硼砂、0.05~0.3公斤亚硝酸钠、5~7公斤石英砂,40~50公斤水和0.01~0.1公斤羧甲基纤维素钠。
所述的釉浆中瓷釉是由以下重量百分数的原料组成的: SiO2 50%~70%、Al2O3 0.5%~3%、B2O3 5%~15%、CaO 0.5%~3% 、F2 0.5%~3% 、K20.5%~3% 、Na2O 8%~15%、CoO 0%~3%、CuO 0.5%~3%、TiO2 3%~10%、MnO 0.5%~3%、Li2O 1%~5% 、NiO 0.5%~3%和ZrO 1%~3%,所述组分的总和加起来为100重量%,将所述原料拌合均匀,在1200~1300℃的高温下熔融2~3小时,再出炉急剧冷却至室温得到瓷釉。
其中,步骤(4)中喷涂的静电粉末是通过以下步骤获得的:将瓷釉和瓷釉重量0.01~0.5%的甲基硅烷混合置于干式球磨机中研磨至D50为20~30微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山美邦环境科技股份有限公司,未经昆山美邦环境科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410168861.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光纤氢气传感器
- 下一篇:气体检测装置及系统和气体检测方法