[发明专利]一种BTS型栅SOI器件的建模方法

权利要求书

1.一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为BTS型栅SOI MOS器件，该方法包括：

a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；

b.计算额外栅电容；

c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外栅电容，生成最终模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其中MOS器件模型为BSIMSOI模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中额外栅电容包括第一额外栅电容(C1)和第二额外栅电容(C2)两部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中计算额外栅电容的方法是：

根据步骤a中所提取大面积MOS管的交流参数，获得该MOS管的电容，根据大面积MOS管的电容获取单位面积栅氧电容。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述BTS型栅SOIMOS器件包括源端(S201)、栅端(S202)、漏端(S203)、第一体引出端(S204)和第二体引出端(S205)以及第一延伸区域(S206)和第二延伸区域(S207)，其中，所述栅端(S202)除了与源漏区直接相邻的基本栅端(S0)以外，还包括与体引出端相邻的第一额外栅端(S1)和第二额外栅端(S2)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中；源端(S201)、漏端(S203)和基本栅端(S0)之间存在PN结电容(C0)，以及与第一额外栅端(S1)和第二额外栅端(S2)之间存在第一额外栅电容(C1)和第二额外栅电容(C2)。