[发明专利]采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路

权利要求书

1.采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；

其特征在于，m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；

所述差分放大器包括可控电流源I_n1、NMOS晶体管N_n1、NMOS晶体管N_n2、负载电阻R_n1、负载电阻R_n2、电容C_n1和电容C_n2；

所述源极跟随器包括可控电流源I_n2、可控电流源I_n3、NMOS晶体管N_n3和NMOS晶体管N_n4；

电源VDD同时连接负载电阻R_n1的一端、负载电阻R_n2的一端、NMOS晶体管N_n3的漏极和NMOS晶体管N_n4的漏极；

负载电阻R_n1的另一端同时连接NMOS晶体管N_n1的漏极、电容C_n1的一端和NMOS晶体管N_n3的栅极；电容C_n1的另一端同时连接NMOS晶体管N_n2的栅极和m级放大器中的第n-1级放大器的输出端Von_n-1；

NMOS晶体管N_n2的漏极同时连接NMOS晶体管N_n4的栅极、电容C_n2的一端和负载电阻R_n2的另一端；电容C_n2的另一端同时连接m级放大器中的第n-1级放大器的输出端Vop_n-1和NMOS晶体管N_n1的栅极；

NMOS晶体管N_n1的源极和NMOS晶体管N_n2的源极的公共节点Vm_n连接可控电流源I_n1的正极，可控电流源I_n1的负极接地GND；

NMOS晶体管N_n3的源极同时连接可控电流源I_n2的正极和第n级放大器的输出端Vop_n，可控电流源I_n2的负极接地GND；

NMOS晶体管N_n4的源极同时连接可控电流源I_n3的正极和第n级放大器的输出端Von_n，可控电流源I_n3的负极接地GND。