[发明专利]一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器

权利要求书

1.一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，包括上极板、下极板、中间绝缘层、真空腔以及上下极板上的电引线焊盘，其特征在于真空腔是上极板与中间绝缘层间、或者上极板、中间绝缘层与下极板间形成的密封腔，真空腔内设计有绝缘支撑柱阵列，所述绝缘支撑柱的顶端面与上极板间留有空隙。

2.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于上极板为硅敏感薄膜,所述硅敏感薄膜的厚度为0.5-20um。

3.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于中间绝缘层为与硅气密性键合的绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于中间绝缘层为二氧化硅或者二氧化硅层与氮化硅层的复合。

5.根据权利要求3所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于中间绝缘层的厚度为0.5-5um。

6.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于绝缘支撑柱阵列里的各绝缘支撑柱呈均匀分布或非均匀分布。

7.根据权利要求6所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于绝缘支撑柱横截面的形状和大小尺寸相同或者不同。

8.根据权利要求7所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于绝缘支撑柱的横截面积为1um²-1mm²。

9.根据权利要求6所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于绝缘支撑柱之间的间距相同或不同。

10.根据权利要求9所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，其特征在于绝缘支撑柱之间的间距为0-800微米。

11.权利要求1-10所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，与同一结构的参考电容同时置于同一硅芯片上，形成一对差分电容，所述参考电容的空腔连通外界待测环境。

12.权利要求1-10所述的一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器，真空度检测范围相互衔接的多只硅电容真空传感器同时设计在同一硅芯片上，形成超大量程硅电容真空传感器。