[发明专利]开关电源及其控制器有效

专利信息
申请号: 201410161303.1 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103887961A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 林海锋;张邵华;汤仙明;姚丰;高阳;王栋;詹桦;严先蔚;吴建兴 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张振军
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 开关电源 及其 控制器
【说明书】:

技术领域

发明涉及开关电源技术,尤其涉及一种具有高压启动功能的开关电源及其控制器。

背景技术

参考图1,图1示出了现有技术中具有高压启动功能的反激式开关电源100的典型应用电路的拓扑结构,主要包括:启动电阻R1、启动电容C1、开关电路101、开关电源控制装置102、反激式转换器103、二极管D1、二极管D2以及输出滤波电容C2,其中开关电源控制装置102可以包括开启/关断控制器105和PWM控制器106。

参考图2,图2示出了反激式开关电源100在高压启动过程中,开关电源控制装置102的电源供电端VCC、开启/关断控制器105的输出端UV_CTRL、启动电容C1的高压启动充电电流Ich、开关电源控制装置102的栅极驱动端GD、直流输出电压VOUT的波形示意图。

结合图1和图2,在开关电源100开始高压启动时,交流输入电压VIN通过启动电阻R1给启动电容C1提供高压启动充电电流Ich,则开关电源控制装置102的电源供电端VCC电压开始上升,同时高压启动充电电流Ich也从0开始增大,且先增大到最大值Ich0(Ich0>0)后再下降;当电源供电端VCC电压大于开启/关断控制器105的开启点电压VCCON时,开启/关断控制器105的输出信号UV_CTRL由低电平跳变为高电平,且高压启动充电电流Ich也降至Ich1(Ich1>0),则PWM控制器106开始工作,产生开关电源控制装置102的栅极驱动信号GD,该栅极驱动信号GD可以为PWM调制信号,栅极驱动信号GD控制开关电路101中的功率管104的导通和关断,使得功率管104的漏端E_D提供功率输出电流,那么交流输入电压VIN就通过反激式转换器103中变压器的原边绕组L1和副边绕组L2、二极管D2、输出滤波电容C2将能量传递到直流输出电压VOUT,使得VOUT电压开始上升;同时,交流输入电压VIN除了通过启动电阻R1和启动电容C1给开关电源控制装置102的电源供电端VCC供电外,还通过反激式转换器103中变压器的原边绕组L1和辅助绕组L3、二极管D1、启动电容C1,也为电源供电端VCC供电;这样,开关电源100就完成高压启动,开始工作。

上述通过启动电阻R1来完成高压启动的技术,由于在启动后流过启动电阻R1的电流Ich1一直存在,所以存在启动时间和待机功耗的矛盾。如果启动电阻R1较小,则启动时,交流输入电压VIN通过启动电阻R1给启动电容C1充电的电流变大,那么开关电源100的启动时间变短,但启动后,由于流过启动电阻R1的电流较大,则开关电源100的待机功耗也较大;如果启动电阻R1较大,则启动时,交流输入电压VIN通过启动电阻R1给启动电容C1充电的电流变小,那么开关电源100的启动时间变长,但启动后,由于流过启动电阻R1的电流较小,则开关电源100的待机功耗也就小。

为了兼顾启动时间和待机功耗,应用时启动电阻R1一般选在MΩ级。但即使这样,在交流输入电压VIN为220VAC时,启动电阻R1的功耗也有十几毫瓦到上百毫瓦。

由上,现有技术中如图1所示的开关电源100通过启动电阻R1来完成高压启动,无法确保既能减少启动时间又能降低待机功耗。

参考图3,图3示出了图1中的开关电源100内的功率管104的版图201的示意图,该功率管104为高压MOS器件。

结合图1和图3,在高压MOS器件104的版图201上,正面有栅端G的压点和源端S的压点,背面有漏端D的压点,这三个压点可以完成高压MOS器件104的功率驱动输出功能。

参考图4,图4示出了图3沿AA’方向的纵向剖面的示意图。

如图4所示,以N型器件为例,该高压MOS器件包括:MOS管的N型外延区306,外延区306由电极301引出,形成MOS管的漏端;MOS管的P阱302;MOS管的N型掺杂区305;MOS管的P型掺杂区309,P阱302、P型掺杂区309以及N型掺杂区305通过电极303短路,形成MOS管的源端;MOS管的栅端304。从器件的整体结构而言,上述P阱302、N型掺杂区305、P型掺杂区309以及栅端304等都形成于元胞部分308,元胞部分308是器件的电流导通区域,元胞部分308为有源区,该功率器件可以由众多元胞部分308重复形成;在元胞部分308的边缘以外具有高压环307,高压环307可以包括多个P型掺杂310,该高压环307可以对应于图3所示的区域207。以上器件的内部结构以及工作原理为公知技术,不再详细描述。

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