[发明专利]可挠式光感应薄膜、信息提取系统与信息提取方法有效
申请号: | 201410160942.6 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN104951148B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 倪士杰 | 申请(专利权)人: | 纬创资通股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/042 | 分类号: | G06F3/042 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式光 感应 薄膜 信息 提取 系统 方法 | ||
1.一种信息提取系统,包含有一可挠式光感应薄膜以及一感应面板装置;
该可挠式光感应薄膜包含有:
一薄膜;以及
多个光感应单元,设置在该薄膜上,用来转换光源为电能,且将电能储存形成电场;
该感应面板装置,用来感应该可挠式光感应薄膜上未被一光阻绝材质遮蔽光源的光感应单元所形成的电场,产生一电场分布情形,以根据该电场分布情形提取出该光阻绝材质形成在该可挠式光感应薄膜上的一信息。
2.如权利要求1所述的信息提取系统,其中该多个光感应单元中每一光感应单元包含有:
一光感应层,用来将光源转换为电能,并经由一第一电位极与一第二电位极输出电能;
一电场层,包含有耦接于该第一电位极的一第一导电层与耦接于该第二电位极的一第二导电层,用来储存该第一电位极与该第二电位极所输出的电能,在该第一导电层与该第二导电层间形成电场;以及
一绝缘层,用来隔离该光感应层与该电场层。
3.如权利要求2所述的信息提取系统,其中该光感应层为具有非晶硅或多晶硅的半导体材质,以转换光源为电能。
4.如权利要求2所述的信息提取系统,其中该第一导电层与该第二导电层是由一透明导电材料所形成,该透明导电材料包含有选自钛、锌、锆、锑、铟、锡、铝、及硅所构成的金属氧化物群组中的其中之一。
5.如权利要求4所述的信息提取系统,其中该透明导电材料包含有氧化铟锡(ITO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌镓(GZO)、氧化铟镁(MIO)。
6.如权利要求1所述的信息提取系统,其中该多个光感应单元另包含有:
多个辨识单元,预先被一材质遮蔽住光源,而无法接收到光源来转换形成电场。
7.如权利要求6所述的信息提取系统,其中该感应面板装置感应该可挠式光感应薄膜,获得不具有电场的该多个辨识单元的位置信息,作为用来启动提取该信息的一辨识信息。
8.如权利要求1所述的信息提取系统,其中该感应面板装置具有一电容式感应面板,该电容式感应面板感测该可挠式光感应薄膜上电场所造成的电容变化,产生该电场分布情形。
9.如权利要求1所述的信息提取系统,其中该感应面板装置分析该电场分布情形,获得未被该光阻绝材质遮蔽光源的光感应单元在该可挠式光感应薄膜上的位置信息,以分析出该光阻绝材质形成在该可挠式光感应薄膜上的该信息。
10.如权利要求1所述的信息提取系统,其中一使用者通过一输入设备将该光阻绝材质形成在该可挠式光感应薄膜上,以记载该信息。
11.一种可挠式光感应薄膜,用于一信息提取系统中,该可挠式光感应薄膜包含有:
一薄膜;以及
多个光感应单元,设置在该薄膜上,用来转换光源为电能,且将电能储存形成电场;
其中,该信息提取系统中一感应面板装置感应该可挠式光感应薄膜上光感应单元所形成的电场,产生一电场分布情形,以根据该电场分布情形提取出该可挠式光感应薄膜上的一信息。
12.如权利要求11所述的可挠式光感应薄膜,其中该感应面板装置,是感应该可挠式光感应薄膜上未被一光阻绝材质遮蔽光源的光感应单元所形成的电场,产生该电场分布情形,以根据该电场分布情形提取出该光阻绝材质形成在该可挠式光感应薄膜上的该信息。
13.如权利要求12所述的可挠式光感应薄膜,其中该多个光感应单元中每一光感应单元包含有:
一光感应层,用来将光源转换为电能,并经由一第一电位极与一第二电位极输出电能;
一电场层,包含有耦接于该第一电位极的一第一导电层与耦接于该第二电位极的一第二导电层,用来储存该第一电位极与该第二电位极所输出的电能,在该第一导电层与该第二导电层间形成电场;以及
一绝缘层,用来隔离该光感应层与该电场层。
14.如权利要求13所述的可挠式光感应薄膜,其中该光感应层为具有非晶硅或多晶硅的半导体材质,以转换光源为电能。
15.如权利要求13所述的可挠式光感应薄膜,其中该第一导电层与该第二导电层是由一透明导电材料所形成,该透明导电材料包含有选自钛、锌、锆、锑、铟、锡、铝、及硅所构成的金属氧化物群组中的其中之一。
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