[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统

说明书

一种存储器，包括：多个字线，多个字线中的每个字线与一个或多个存储器单元耦接；地址储存单元，适用于在第一时间点处储存多个字线之中的通过控制单元选中用于访问的字线的地址；以及控制单元，适用于响应于刷新命令的施加而顺序刷新多个字线，响应于每第N次施加刷新命令而将与储存在地址储存单元中的地址相对应的字线相邻的一个或多个相邻字线刷新，其中，N是自然数，以及选择多个字线之中用于访问的一个或多个，其中，第一时间点被包括在除了刷新节段之外的时间节段中，在刷新节段控制单元响应于刷新命令的施加而刷新一个或多个字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年9月25日提交的申请号为10-2013-0113880的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本专利申请文件涉及一种存储器和包括所述存储器的存储系统。

背景技术

存储器件的存储器单元由用于储存电荷（即，数据）的电容器和用于开关电容器的晶体管组成。数据的逻辑电平，即高（逻辑电平1）或低（逻辑电平0）依赖于电容器中电荷的聚集，意味着数据的逻辑电平依赖于电容器的电压。

由于数据采用聚集电荷的形式储存在电容器中，所以理论上不存在功耗。然而，由于电容器中聚集的电荷被放电，且因而聚集的电荷量由于晶体管的PN结引起的泄漏电流而减少，所以数据在没有电源的情况下会丢失。为了防止数据丢失，存储器单元的电容器应当在储存在电容器中的数据丢失之前反复地再充电，以保持电荷量。对存储器单元反复地再充电的这个过程被称作为刷新操作。

在存储器件中，响应于从存储器控制器施加的刷新命令而执行刷新操作。考虑到存储器件的数据保留时间，存储器控制器反复地在预定的时段内将刷新命令施加至存储器件。例如，当存储器件的数据保留时间为大约64ms时，存储器件中的整个存储器单元可以根据大约8000次的刷新命令的输入来被刷新，存储器控制器以大约64ms约8000次向存储器件施加刷新命令来执行刷新操作。

由于存储器件的集成度增大，所以存储器件中包括的多个字线之间的间隙减小，而相邻的字线之间的耦合效应增大。出于这个原因，当存储器件的特定字线被频繁激活时，在刷新操作期间与相邻的字线相比，与特定字线相邻的多个字线耦接的存储器单元的数据会被破坏。这种现象被称作为字线干扰。

发明内容

根据本发明的各种实施例具有存储器和包括所述存储器的存储系统，所述存储器即使在存储器单元的数据由于字线干扰而可能恶化时也可以正常地操作。

在一个实施例中，一种存储器可以包括：多个字线，每个字线与一个或多个存储器单元耦接；地址储存单元，适用于在第一时间点处储存所述多个字线之中的通过控制单元选中用于访问的字线的地址；以及控制单元，适用于响应于刷新命令的施加而顺序刷新多个字线，响应于刷新命令的每第N次施加而刷新与储存在地址储存单元中的地址相对应的字线相邻的一个或多个相邻字线，并且选择多个字线中用于访问的一个或多个，其中N是自然数，其中第一时间点被包括在除了刷新节段之外的时间节段中，在所述刷新节段中控制单元响应于刷新命令的施加而刷新一个或多个字线。

在一个实施例中，一种存储器可以包括：多个字线，每个字线与一个或多个存储器单元耦接；地址输入单元，适用于从外部接收地址；地址计数单元，适用于在刷新命令被施加时执行计数操作，并且利用计数结果来产生计数地址；地址储存单元，适用于在第一时间点处储存多个字线之中的通过控制单元选中用于激活的字线的地址；以及控制单元，适用于响应于激活命令的施加而将与通过地址输入单元接收的地址相对应的字线激活，并且响应于刷新命令的施加而刷新与计数地址相对应的字线，以及响应于刷新命令的每第N次施加而刷新与储存在地址储存单元中的地址相对应的字线相邻的一个或多个相邻字线，其中N是自然数，其中第一时间点被包括在除了刷新节段之外的时间节段中，在所述刷新节段中控制单元响应于刷新命令的施加而刷新一个或多个字线。