[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201410160296.3 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN104425003B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 梁钟烈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括正常存储器单元阵列和冗余存储器单元阵列;
正常刷新计数器,所述正常刷新计数器适用于:在刷新模式期间,产生用于以第一周期对所述正常存储器单元阵列执行刷新操作的正常地址;
冗余刷新计数器,所述冗余刷新计数器适用于:产生用于以比所述第一周期短的第二周期对所述冗余存储器单元执行刷新操作的冗余地址;以及
冗余周期控制单元,所述冗余周期控制单元被配置成产生用于控制正常刷新计数器的激活和冗余刷新计数器的激活的冗余周期信号,使得:在冗余周期信号被激活时,正常刷新计数器停止第一计数操作,而冗余刷新计数器开始第二计数操作;以及在冗余周期信号被去激活时,正常刷新计数器恢复第一计数操作,而冗余刷新计数器停止第二计数操作。
2.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
正常行解码器,所述正常行解码器适用于响应于所述正常地址而选择所述正常存储器单元阵列;以及
冗余行解码器,所述冗余行解码器适用于响应于所述冗余地址而选择所述冗余存储器单元阵列。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述正常刷新计数器和所述冗余刷新计数器不同时操作。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述刷新模式响应于通过将外部命令信号解码产生的自我刷新信号或自动刷新信号而被激活。
5.一种半导体器件,包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括正常存储器单元阵列和冗余存储器单元阵列;
正常刷新计数器,所述正常刷新计数器适用于:在刷新模式期间,产生用于以预定的正常周期对所述正常存储器单元阵列执行刷新操作的正常地址;
冗余刷新计数器,所述冗余刷新计数器适用于:产生用于在所述预定的正常周期内对所述冗余存储器单元执行两次或更多次刷新操作的冗余地址;以及
冗余周期控制单元,所述冗余周期控制单元被配置成产生用于控制正常刷新计数器的激活和冗余刷新计数器的激活的冗余周期信号,使得:在冗余周期信号被激活时,正常刷新计数器停止第一计数操作,而冗余刷新计数器开始第二计数操作;以及在冗余周期信号被去激活时,正常刷新计数器恢复第一计数操作,而冗余刷新计数器停止第二计数操作。
6.如权利要求5所述的半导体器件,还包括:
正常行解码器,所述正常行解码器适用于响应于所述正常地址而选择所述正常存储器单元阵列;以及
冗余行解码器,所述冗余行解码器适用于响应于所述冗余地址而选择所述冗余存储器单元阵列。
7.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述正常刷新计数器和所述冗余刷新计数器不同时操作。
8.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述刷新模式响应于通过将外部命令信号解码产生的自我刷新信号或自动刷新信号而被激活。
9.一种半导体器件,包括:
正常刷新单元,所述正常刷新单元适用于刷新多个正常字线,所述多个正常字线中的每个与多个正常存储器单元耦接;
冗余刷新单元,所述冗余刷新单元适用于刷新多个冗余字线,所述多个冗余字线中的每个与多个冗余存储器单元耦接;以及
控制单元,所述控制单元适用于产生用于控制正常刷新单元的激活和冗余刷新单元的激活的冗余周期信号,使得:在冗余周期信号被激活时,正常刷新单元停止、而冗余刷新单元开始,以及在冗余周期信号被去激活时,正常刷新单元恢复、而冗余刷新单元停止,由此控制所述正常刷新单元和所述冗余刷新单元使得所述正常刷新单元单元的刷新与所述冗余刷新单元的刷新交替进行,
其中,所述正常刷新单元的刷新周期大于所述冗余刷新单元的刷新周期。
10.如权利要求9所述的半导体器件,其中,所述控制单元控制所述正常刷新单元和所述冗余刷新单元,使得在所述正常刷新单元适当刷新所述多个正常字线一次期间,所述冗余刷单元刷新所述多个冗余字线两次或更多次。
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