[发明专利]小面积高线性度成形电路有效
| 申请号： | 201410153558.3 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103916080B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王佳;高德远;魏廷存;高武;郑然;魏晓敏;胡永才 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面积 线性 成形 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种小面积高线性度成形电路，包括电容C1、电容C2和运算放大器A，其特征在于：还包括一个NMOS晶体管Mdif和n个NMOS晶体管M1～Mn。电容C1的一端接形成电路的输入端Vin，电容C1的另一端接NMOS晶体管Mdif的漏极，NMOS晶体管Mdif的源极分别接运算放大器A的输入端、n个NMOS晶体管M1～Mn串联后的漏极和电容C2的一端。运算放大器A的输出端、n个NMOS晶体管M1～Mn串联后的源极和电容C2的另一端接形成电路的输出端Vout。NMOS晶体管Mdif和NMOS晶体管M1～Mn的栅极均连接到成形电路的时间调节控制电压Vadj上。电容C1和NMOS晶体管Mdif组成串联RC网络，电容C2和n个NMOS晶体管M1～Mn组成并联RC网络。
2.根据权利要求1所述的小面积高线性度成形电路，其特征在于：所述NMOS晶体管Mdif和NMOS晶体管M1～Mn的沟道长度和宽度相同。
3.根据权利要求1所述的小面积高线性度成形电路，其特征在于：所述NMOS晶体管M1～Mn中，NMOS晶体管Mj～Mn的沟道长度减小，沟道宽度保持不变。
4.根据权利要求1所述的小面积高线性度成形电路，其特征在于：所述NMOS晶体管M1～Mn中，NMOS晶体管Mj～Mn的沟道长度，沟道宽度保持不变，其栅极接固定电位。
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