[发明专利]掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料，其特征在于，所述复合材料由羟基氧化锰纳米线和掺氮石墨烯组成，所述羟基氧化锰纳米线被所述掺氮石墨烯紧密包覆。

2.如权利要求1所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料，其特征在于，所述羟基氧化锰纳米线的直径为5-20nm。

3.一种如权利要求1或2所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，将氧化石墨烯、高锰酸钾、甲酰胺依次溶解于水中，并充分混合均匀，得到生长液；

第二步，将所述生长液装入反应釜并密封，然后置于马弗炉中；

第三步，设定第一温度和第一反应时间，在所述第一温度和第一时间下，所述生长液进行水热反应，得到反应产物；

第四步，使所述反应釜自然冷却至室温；

第五步，将所述反应产物从所述反应釜中取出，并经过清洗、干燥，得到所述掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料。

4.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述生长液是由所述氧化石墨烯、所述高锰酸钾和所述甲酰胺按照比例79～316g：30～100g：0.5～10mL，溶解于水制成。

5.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述生长液在室温下制成。

6.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述反应釜为聚四氟乙烯内衬不锈钢反应釜。

7.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述第一温度为80～160℃。

8.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述第一反应时间为1～24h。

9.如权利要求3所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述第五步中的所述清洗的过程为利用无水乙醇和超纯水将所述反应产物交替清洗，直至中性。

10.如权利要求9所述的掺氮石墨烯包覆羟基氧化锰纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，所述第五步中所述干燥的过程为将清洗后的产物利用马弗炉、烘箱或红外灯进行烘烤，直至将残留的水分和无水乙醇除去。