[发明专利]用于电子设备的厚膜导电墨在审
| 申请号： | 201410134696.7 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104103340A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | L.M.阿尔鲍夫;D.A.史密斯;T.J.古斯 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | H01B1/20 | 分类号： | H01B1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董均华;谭祐祥 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电子设备 导电 | ||
1. 一种用于电子设备的厚膜导电墨，所述厚膜导电墨包括：
有机部分；以及
被分散在所述有机部分中限定糊状物的无机部分，其中，所述无机部分包括金属铜粉末、铜氧化物、及元素硼，并且其中，所述厚膜导电墨基本上不包括玻璃。
2. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述无机部分基本上不包括铅。
3. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述无机部分本质上由金属铜粉末、铜氧化物、及元素硼组成。
4. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述有机部分以所述厚膜导电墨的从大约10wt.%至大约30wt.%的量存在。
5. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述无机部分以所述厚膜导电墨的从大约70wt.%至大约90wt.%的量存在。
6. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述金属铜粉末以所述厚膜导电墨的从大约50wt.%至大约85wt.%的量存在。
7. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述铜氧化物以所述厚膜导电墨的从大约3wt.%至大约23wt.%的量存在。
8. 根据权利要求1所述的厚膜导电墨，其中，所述元素硼以所述厚膜导电墨的从大约0.5wt.%至大约5wt.%的量存在。
9. 一种用于制作电子设备的方法，所述方法包括以下步骤：
沉积覆在衬底上的厚膜导电墨，其中，所述厚膜导电墨包括：
有机部分；以及
被分散在所述有机部分中限定糊状物的无机部分，其中，所述无机部分包括金属铜粉末、铜氧化物、及元素硼，并且其中，所述厚膜导电墨基本上不包括玻璃；以及
烧制所述厚膜导电墨以形成覆在所述衬底上的导体。
10. 一种电子设备，包括：
衬底；以及
导体，所述导体覆在所述衬底上并包括熔融/烧结金属铜、铜氧化物、三氧化二硼，且基本上不包括玻璃。
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