[发明专利]一种环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的方法在审

专利信息
申请号: 201410133384.4 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN103923116A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 孙俊芬;胡方 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C07F7/21 分类号: C07F7/21;C08B37/08;C08G65/00
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 环氧基 poss 接枝 胺基 羟基 物质 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于环氧基POSS改性材料的制备领域,特别涉及一种环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的方法。

背景技术

笼型倍半硅氧烷(POSS)是一类具有特殊分子结构的有机硅化合物,其分子以无机硅氧骨架为核心,外围被有机基团所包围,POSS单体中八个Si顶点处接有八个有机取代基团,这些有机取代基团可分为两大类:一类是惰性基团,如环己基、环戊基、乙基、异丁基等;另一类是活性基团,如各类烯基、环氧基、氨基等。反应性官能团的POSS既可以进一步均聚,又可以和其他单体共聚;非反应性官能团的引入可以改变POSS与聚合物、生物体系或生物表面的溶解性和兼容性。环氧基POSS因其具有化学活性较强的环氧基团,因此可以和一些单体、聚合物进行开环接枝反应。

近年来,对环氧基POSS进行接枝改性的研究方法也层出不穷。江航以多官能团的γ-环氧丙氧基丙基POSS为原料,通过POSS上环氧基团与2-溴-2-甲基丙酸的开环反应将C-Br引发点引入到POSS上,制得POSS-Br引发剂(江航.多分散环氧POSS的合成及POSS基复合材料的制备与性能研究[D].合肥工业大学,2012);Yuan-Jyh Lee,Jieh-Ming Huang等以BTDA和ODA为原料首先合成H2N-Poly(amic acid)Oligomers-H2N,然后再与环氧基POSS反应,制备环氧基POSS接枝胺基交联聚合物(Yuan-Jyh Lee,Jieh-Ming Huang.Polyimide and polyhedral oligomeric silsesquioxane nanocomposites for low-dielectric applications[J].Polymer,2004,46(2005):173–181);Jiwon Choi,Jason Harcup等以环氧基POSS和4,4’-二氨基二苯甲烷为原料,其中氨基和环氧基的摩尔比为1:2,制备交联有机无机杂化材料(Jiwon Choi,Jason Harcup.Organic/Inorganic Hybrid Composites from Cubic Silsesquioxanes[J],J.Am.Chem.Soc.2001,123,11420-11430);汪海迪在环氧丙基季铵盐接枝改性聚乙烯醇的制备中,首先合成了季铵盐化合物N,N-二甲基-N-十二烷基-N-环氧丙基氯化铵,然后在碱性条件下,环氧基团与聚乙烯醇的羟基发生醚化反应,实现聚乙烯醇的抗菌功能化改性(汪海迪.新型季铵盐类高分子抗菌剂及其复合抗菌剂的合成与抗菌活性研究[D].北京化工大学,2012);戴李宗等(中国专利201310027660.4)发明出了一种基于POSS的具有可控相结构的环氧纳米复合材料。目前,对环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的报道还较少。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的方法,该发明工艺简单,操作方便,反应条件比较温和,不需要高温高压处理,该发明得到的环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的产物,颗粒细小、分布均匀、具有优良的生物学相容性。

本发明的一种环氧基POSS接枝多胺基、多羟基类物质的方法,包括:

(1)将环氧基POSS溶解在溶剂中,搅拌,溶解,得到环氧基POSS溶液;

(2)将多胺基、多羟基类物质加入上述环氧基POSS溶液中,然后加入催化剂调节反应体系pH值,搅拌条件下,40-80℃,反应4-12h,提纯,真空干燥,即得环氧基POSS接枝产物;其中多胺基、多羟基类物质与环氧基POSS溶液的体积比为1:5-4:1。

所述步骤(1)中溶剂为氯仿、四氢呋喃THF、甲苯中的一种。

所述步骤(1)中环氧基POSS与溶剂的质量比为1:20-1:10。

所述步骤(2)中多胺基类物质为乙二胺、己二胺、壳聚糖中的一种或几种;多羟基类物质为乙二醇、戊二醇、丙三醇、聚乙二醇中的一种或几种。

所述步骤(2)中催化剂为NaOH,调节反应体系pH值为7-10。

所述步骤(2)中提纯为65-125℃条件下蒸发1-6h,除去溶剂,化学沉降法并用蒸馏水洗涤去除多余的添加物质。

所述步骤(2)中真空干燥温度为40-100℃。

有益效果

(1)本发明工艺简单,操作方便,反应条件比较温和,不需要高温高压处理;

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