[发明专利]闪存的空块回收方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410132252.X 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN103914392B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 谭星;吴大畏;陈寄福 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 代理人: 胡海国,文明
地址: 518057 广东省深圳市南山区科技*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 闪存 回收 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及数据存储领域,尤其涉及闪存的空块回收方法及装置。

背景技术

闪存的物理块通常被划分成算法区和数据区,算法区负责新数据的写入,数据区负责接收并存储算法区转存过来的数据,数据区通常不进行新数据的写入。

现有技术中,当算法区中的数据存储量达到算法区数据存储量的存储阈值(即存满)时,即当算法区没有空块或者空页可以写入新数据时,此时,闪存如果接收到新数据的写入命令,则需要先把算法区中的数据转存到数据区并回收空块或者空页才能进行新数据的写入。也就是说,闪存在接收到新数据的写入命令时,如果算法区没有空块或者空页可以写入新数据,则闪存对该写入命令的响应速度会非常慢。因此,如何在算法区没有空块或者空页时,提高闪存的新数据写入速度已经成为一个亟待解决的问题。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于闪存的空块回收方法及装置,旨在通过在闪存的空闲时间回收空块以提高闪存的写性能。

为实现上述目的,本发明提供的闪存的空块回收方法,包括以下步骤:

实时检测闪存是否处于空闲状态;

在所述闪存处于空闲状态时,判断所述闪存中算法区的空块队列的空块数量是否低于第一预设空块数量;

在所述算法区的空块队列中的空块数量低于所述第一预设空块数量时,则对所述算法区进行空块回收。

优选地,所述实时检测闪存是否处于空闲状态的步骤包括:

实时检测所述闪存是否有需要执行的命令;

在所述闪存没有需要执行的命令时,计算空闲时间;

在计算得到的空闲时间大于预设时间阈值时,则检测出所述闪存处于空闲状态。

优选地,所述在闪存处于空闲状态时的步骤还包括:

判断所述闪存中数据区的空块队列的空块数量是否低于第二预设空块数量;

在所述数据区的空块队列中的空块数量低于第二预设空块数量时,则对所述数据区进行空块回收。

优选地,所述在所述算法区的空块队列中的空块数量低于所述第一预设空块数量时,则对所述算法区进行空块回收的步骤包括:

在所述算法区的空块队列中的空块数量低于所述第一预设空块数量时,在所述算法区的物理块中设置第一目标块,所述第一目标块为进行空块回收的对象;

将所述第一目标块中的有效数据以第一预设粒度转存至所述数据区的物理块;

对完成所述有效数据转存后的所述第一目标块进行擦除,并将擦除后的所述第一目标块插入所述算法区的所述空块队列中。

优选地,所述在所述数据区的空块队列中的空块数量低于第二预设空块数量时,则对所述数据区进行空块回收的步骤包括:

在所述数据区的空块队列中的空块数量低于所述第二预设空块数量时,计算所述数据区中各物理块的有效页的数量,获取所述有效页的数量低于预设有效阈值的物理块;

获取所述有效页的数量低于预设有效阈值的物理块的磨损值;

根据所述磨损值在所述有效页的数量低于预设有效阈值的物理块中设置第二目标块,所述第二目标块为进行空块回收的对象;

将所述第二目标块中的有效数据以第二预设粒度转存至所述算法区的物理块上;

对完成所述有效数据转存后的所述第二目标块进行擦除,并将擦除后的所述第二目标块插入所述数据区的所述空块队列中。

本发明进一步提供的闪存的空块回收装置,所述装置包括:

检测模块,用于实时检测闪存是否处于空闲状态;

第一判断模块,用于在所述闪存处于空闲状态时,判断所述闪存中算法区的空块队列的空块数量是否低于第一预设空块数量;

算法区回收模块,用于在所述算法区的空块队列中的空块数量低于第一预设空块数量时,则对所述算法区进行空块回收。

优选地,所述检测模块包括:

检测单元,用于实时检测所述闪存是否有需要执行的命令;

计算单元,用于在所述闪存没有需要执行的命令时,计算空闲时间;

分析单元,用于预设时间阈值在计算得到的空闲时间大于预设时间阈值时,则检测出所述闪存处于空闲状态。

优选地,所述装置包括:

第二判断模块,用于判断所述闪存中数据区的空块队列的空块数量是否低于第二预设空块数量;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市硅格半导体有限公司,未经深圳市硅格半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410132252.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top