[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于包括：

一光源本体；

一导线架，置于光源本体底部；

一LED晶粒，置于导线架上方；

一混体，置于光源本体内部；以及

一三维胶体光子晶体薄膜，粒子堆栈结构方式为体心立方式、面心立方式、简单立方式的晶体结构，而粒子与粒子间的排列可为四角或六角的紧密式或松散式晶格结构，置于光源本体的表面；

其中调整三维胶体光子晶体薄膜粒子的紧密度与堆栈排列方式，将白光通过的光线波段提升转换为另一个范围的光线波段，以调变白光的色温与演色性。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于LED晶粒为蓝色LED、红色LED、绿色LED或紫外光LED。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于LED晶粒形式为覆晶式LED或垂直式LED。

4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于三维胶体光子晶体薄膜的涂布方式为喷嘴式、刮刀式、旋转式或狭缝式，涂布于光源本体的表面。

5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于三维胶体光子晶体薄膜的粒子平均粒径为100～800纳米。

6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于三维胶体光子晶体薄膜的厚度为1～500微米。

7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于三维胶体光子晶体薄膜的粒子的材质可选自于有机化合物、无机化合物、金属或其组合。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于有机化合物为聚苯乙烯系列、聚甲基丙烯酸甲酯系列、聚马来酸系列、聚乳酸系列、聚胺基酸系列的高分子或其组合。

9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于无机化合物为Ag₂O、CuO、ZnO、CdO、NiO、PdO、CoO、MgO、SiO₂、SnO₂、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、ThO₂、CeO₂、CoO₂、MnO₂、IrO₂、VO₂、WO₃、MoO₃、Al₂O₃、Y₂O₃、Yb₂O₃、Dy₂O₃、B₂O₃、Cr₂O₃、Fe₂O₃、Fe₃O₄、V₂O₅、Nb₂O₅、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、FeS、FeSe、FeTe、CoS、CoSe、CoTe、NiS、NiSe、NiTe、PbS、PbSe、PbTe、MnS、MnSe、MnTe、SnS、SnSe、SnTe、MoS₂、MoSe₂、MoTe₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、Cu₂S、Cu₂Se、Cu₂Te、Bi₂S₃、Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、SiC、TiC、ZrC、WC、NbC、TaC、Mo₂C、BN、AlN、TiN、ZrN、VN、NbN、TaN、Si₃N₄、Zr₃N₄或其组合。

10.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于金属为Au、Ag、Cu、Fe、Co、Ni、Pd、Pt、Al、Si、Ti、Zr、V、Nb、Mo、W、Mn或其组合。