[发明专利]一种存储器编程方法和系统

权利要求书

1.一种存储器编程方法，其特征在于，所述存储器外接有预先设置的外部电源转接板，所述存储器包括多个存储单元，

所述方法包括：

所述存储器在接收到编程指令后，确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元；

所述存储器向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号；

所述存储器接收所述外部电源转接板在接收到所述编程使能信号之后输出的，与所述编程使能信号相对应的编程电压；

所述存储器将所述编程电压施加到所述多字节存储单元的漏极，对所述多字节存储单元执行编程操作；

所述编程指令包括编程数据，所述存储器上设有第一接口，所述外部电源转接板上设有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相连接，

所述存储器向所述外部电源转接板发送针对所述编程指令生成的编程使能信号的步骤包括：

所述存储器获取所述编程数据的字节数，并根据预先设置的字节数与漏极编程电压强度的映射关系确定与所述字节数对应的漏极编程电压强度，将所述漏极编程电压强度确定为对所述存储器进行编程操作所需的漏极编程电压强度；

所述存储器生成包括所述漏极编程电压强度的编程使能信号，并通过所述第一接口和所述第二接口向所述外部电源转接板发送所述编程使能信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部电源转接板的输出电压包括多个级别强度的编程电压，每个级别强度的编程电压分别具有自身对应的开关，

所述编程电压通过如下方式输出：

所述外部电源转接板确定所述漏极编程电压强度所对应级别强度的编程电压，并开启所述级别强度的编程电压所对应的开关，将所述级别强度的编程电压输出至所述存储器。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述编程指令中包括编程起始地址和编程数据，

所述确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元的步骤包括：

所述存储器将所述编程起始地址对应的存储单元确定为当前存储单元，将所述编程数据的第一个比特确定为当前比特；

所述存储器将当前存储单元的数据与当前比特的数据进行比对；

如果所述当前存储单元的数据为逻辑1，所述当前比特的数据为逻辑0，则所述存储器确定所述当前存储单元为需要被执行编程操作的存储单元；

将下一个存储单元确定为当前存储单元，将下一个比特确定为当前比特，并返回所述将当前存储单元的数据与当前比特的数据进行比对的步骤，直至所述编程数据的所有比特全部比对完为止。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述存储器还包括静态随机存储器SRAM，

在所述确定所述编程指令对应的，需要被执行编程操作的多字节存储单元的步骤之前，还包括：

所述存储器将所述编程数据存储至所述SRAM；

所述当前存储单元的数据为所述存储器从所述当前存储单元读出的数据，所述当前比特的数据为所述存储器从所述SRAM读出的数据。