[发明专利]芯片对数据库的影像检测方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片检测方法，且特别是有关于一种芯片对数据库(D2DB)的影像检测方法。

背景技术

随着IC工艺的线宽持续缩小，工艺的关键尺寸(CD)的控制与监测也更加重要。以纳米世代半导体技术来看，要精确检测出芯片表面结构的缺陷也更加不易。

一般有使用电子束检测工具(E-beam inspection tool)来检测晶圆表面结构但都以少量百分比的检查面积来判定其晶圆缺陷表现好坏，这种方法大部份为芯片比芯片(die to die)的检测方法。随着工艺微缩许多系统性缺陷(systematic defect)的发生，这是芯片比芯片检测方法无法发现的缺陷。因此，这须要芯片对数据库(die to database)的检测方法，但是因单位芯片面积大，E-Beam检测需要将整个芯片的影像都取得后才能一一进行检查，所以单片芯片检测时间往往长达数个月。因此，如何有效将检测面积缩小是一重要课题，另外，因为半导体元件线宽小，所以有可能发生光学邻近效应校正(OPC)的数据不准确，而导致芯片生产后才发现缺陷，这些一般都在已经生产了很多产品后才被发现，所以严重影响纳米世代半导体元件的良率。

因此目前亟需能有效的芯片对数据库(die to database)的检测方法。

发明内容

本发明提供一种晶粒对数据库(die to database，D2DB)的影像检测方法，能实时取得精确的影像检测结果也可在脱机(off-line)时取得精确的影像检测结果。

本发明另提供一种芯片对数据库(D2DB)的影像检测方法，能快速取得整个芯片中各个检查区域内的检测结果。

本发明的芯片对数据库的影像检测方法，包括选择晶圆中欲检查的芯片位置中的多个检查区域，再取得所述检查区域的实际影像，并对所述实际影像的位置进行译码。然后，对所述实际影像进行影像萃取，以得到多个影像轮廓，随后比对所述影像轮廓与所述芯片圆的设计数据库(design database)，以得到整个晶圆中欲检查的芯片的缺陷检测的结果。

在本发明的一实施例中，上述方法在取得所述实际影像之前还可重新设定所述检查区域的坐标，以使各区域实际影像重叠的部份降至最少。

本发明另一种芯片对数据库的影像检测方法，包括选择一晶圆中欲检查的芯片位置中的多个检查区域，再取得所述检查区域的实际影像，并对所述实际影像的位置进行译码。然后，根据所述实体坐标使所述实际影像大小1∶1直接显示于所述芯片的设计数据库上，再比对所述实际影像与所述设计数据库，以进行缺陷分类。

在本发明的各个实施例中，选择上述检查区域的方法包括设定在所述设计数据库中的关键尺寸(CD)在一预定值以下的区域为检查区域。

在本发明的一实施例中，选择上述检查区域的方法包括根据设计法则(design rule)将超过一预定数值或低于一预定数值的区域设定为检查区域。

在本发明的各个实施例中，选择上述检查区域的方法包括根据先前进行的晶圆从缺陷检测结果选定检查区域，其中检测机台为亮场检测(bright field inspection)、暗场检测(dark field inspection)、电子束检测工具(E-beam inspection tool)或其他光学扫描仪器(optical scanning tool)。

在本发明的各个实施例中，取得上述实际影像的方法包括利用电子束检测方式取得所述实际影像。

在本发明的各个实施例中，用来执行上述电子束检测方式的仪器包括电子束检测工具(E-beam inspection tool)、搭配波长150nm～800nm光源的亮场检测(bright field inspection)设备、搭配激光光源的暗场检测(laser light source with dark field inspection)设备、或扫描式电子显微镜(scanning electron microscope review tool)。

在本发明的各个实施例中，取得所述实际影像的方法还可进而包括对实际影像中的定义图形元文件(metafile)进行译码并标示所述芯片位置(die)及相对扫描芯片原点(die corner)的缺陷坐标位置，以便将实际影像转入芯片数据库。

在本发明的各个实施例中，取得所述实际影像的方法进而包括译码实际影像的文件名并标示出所述芯片位置及相对扫描芯片原点(die corner)的缺陷坐标位置，以便将实际影像转入芯片数据库。