[发明专利]氯硅烷提纯方法有效

专利信息
申请号: 201410126428.0 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103950937A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 姜利霞;严大洲;杨永亮;赵雄;肖荣晖;汤传斌 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 李志东
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 硅烷 提纯 方法
【权利要求书】:

1.一种氯硅烷提纯方法,其特征在于,包括:

(1)将第一至第五氯硅烷分别对应地在第一至第五精馏塔内进行第一至第五精馏提纯,以便分别得到第一至第五塔顶蒸汽和第一至第五塔底液;

(2)将所述第一塔顶蒸汽在冷凝器内进行冷凝处理,以便得到第一氯硅烷冷凝液,以及将所述第一氯硅烷冷凝液的一部分返回至所述第一精馏塔内;

(3)将所述第一至第五塔底液的一部分分别对应地在第一至第五再沸器内进行第一至第五再沸处理,以便得到第一至第五再沸蒸汽,并将所述第一至第五再沸蒸汽分别对应地返回至所述第一至第五精馏塔内;以及

(4)将所述第二至第五塔顶蒸汽分别对应地返回至步骤(3)中依次用于所述第一至第四再沸处理,以便分别得到第二至第五氯硅烷冷凝液,以及将所述第二至第五氯硅烷冷凝液的一部分分别对应地返回至所述第二至第五精馏塔内。

2.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,用于所述第一冷凝处理的冷源的温度为32~42摄氏度。

3.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,用于所述第二再沸处理的热源为150摄氏度的高温水,所述高温水为利用多晶硅还原工序的余热产生。

4.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,用于分别进行所述第一至第五精馏提纯的所述第一至第五精馏塔中,所述第一精馏塔的塔釜与第二精馏塔的塔顶温差为8-12摄氏度,所述第二精馏塔的塔釜与第三精馏塔的塔顶温差为8-12摄氏度,所述第三精馏塔的塔釜与第四精馏塔的塔顶温差为8-12摄氏度,所述第四精馏塔的塔釜与第五精馏塔的塔顶温差为8-12摄氏度。

5.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第一至第五精馏塔中,每个精馏塔的塔顶与塔底的压差为0.01~0.06MPa。

6.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第一至第五精馏塔之间的连接关系以所述第一至第五进料口区分为串联连接、并联连接或者无关联连接。

7.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第二至第五氯硅烷分别对应地为所述第一至第四氯硅烷冷凝液的一部分或者第一至第四塔底液的一部分。

8.根据权利要求7所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第一至第五精馏塔内的平均压力是依次升高或者依次降低的。

9.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第一至第五氯硅烷中至少一个来自不同的氯硅烷供给装置。

10.根据权利要求1所述氯硅烷提纯方法,其特征在于,所述第一至第五氯硅烷为选自多晶硅系统中氢化工序的氢化冷凝料、干法回收工序的干法回收料、处理各组塔高低沸杂质的回收塔原料、进一步处理氢化冷凝料和回收塔产品的精馏塔原料的至少一种。

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