[发明专利]一种三维纳米结构声表面波气敏传感器无效
| 申请号： | 201410121759.5 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103868818A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王露;杨靖;马晋毅;杜波;江洪敏;司美菊;王登攀;祖小涛;李志杰;唐永亮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | G01N5/02 | 分类号： | G01N5/02 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 王海凤 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 纳米 结构 表面波 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维纳米结构声表面波气敏传感器，包括压电基底（2），置于该压电基底（2）表面且相互平行的输入叉指电极IDT1（5）和输出叉指电极IDT2（6）以及敏感区（4），所述敏感区（4）位于输入叉指电极IDT1（5）和输出叉指电极IDT2（6）之间，其特征在于，所述敏感区（4）上具有三维纳米结构敏感膜，所述三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区（4）上的改性三维纳米线或纳米管（7）及涂覆在敏感区表面的敏感膜（1），所述改性三维纳米线或纳米管（7）是指在外表面附着有敏感膜（1）的三维纳米线或纳米管（3）。
2.如权利要求1所述的三维纳米结构声表面波气敏传感器，其特征在于，所述改性三维纳米线或纳米管（7）在敏感区（4）呈整列式分布。
3.如权利要求1所述的三维纳米结构声表面波气敏传感器，其特征在于，所述改性三维纳米线或纳米管（7）的高度为2-5μm。
4.如权利要求1所述的三维纳米结构声表面波气敏传感器，其特征在于，所述改性三维纳米线或纳米管（7）的直径为200-400 nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所，未经中国电子科技集团公司第二十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410121759.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
