[发明专利]具有亲疏水结构的传感器及其应用

权利要求书

1.一种具有亲疏水结构的传感器，其特征是：所述的传感器是由疏水性基底及疏水性基底上的亲水性检测区域构成；所述的疏水性基底是由疏水性的材料构成，所述的亲水性检测区域是由亲水性的材料构成。

2.根据权利要求1所述的具有亲疏水结构的传感器，其特征是：所述的疏水性的材料选自聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、聚四氟乙烯和白炭黑中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的具有亲疏水结构的传感器，其特征是：所述的亲水性的材料选自亲水性的金属、光子晶体、纳米颗粒中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的具有亲疏水结构的传感器，其特征是：所述的亲水性的金属选自金、银、铜和铝中的一种或几种；

所述的光子晶体选自由二氧化硅微球组装成的光子晶体、由聚（苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸）核壳结构的微球组装成的光子晶体、二氧化硅反蛋白石光子晶体、二氧化钛反蛋白石光子晶体、由聚丙烯酰胺构成的反蛋白石结构的光子晶体和由聚丙烯酰胺-丙烯酸嵌段共聚物构成的反蛋白石结构的光子晶体中的一种或几种；

所述的纳米颗粒选自单一化学组成的或是具有核壳结构的金纳米颗粒、银纳米颗粒、量子点颗粒中的一种或几种。

5.根据权利要求4所述的具有亲疏水结构的传感器，其特征是：所述的二氧化硅微球的直径为200nm～300nm，所述的聚（苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸）核壳结构的微球的直径为180nm～300nm，所述的二氧化硅反蛋白石光子晶体的禁带位置为400～800nm，所述的二氧化钛反蛋白石光子晶体的禁带位置为400～800nm，所述的由聚丙烯酰胺构成的反蛋白石结构的光子晶体的禁带位置为400～800nm，所述的由聚丙烯酰胺-丙烯酸嵌段共聚物构成的反蛋白石结构的光子晶体的禁带位置为400～800nm。

6.一种权利要求1～5任意一项所述的具有亲疏水结构的传感器的应用，其特征是：所述的具有亲疏水结构的传感器用于对含有待检测物的样品溶液中的待检测物进行检测。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征是：所述的用于对含有待检测物的样品溶液中的待检测物进行检测，是将含有待检测物的样品溶液直接滴加于表面具有浸润性差异的传感器的表面，待含有待检测物的样品溶液干燥后，含有待检测物的样品溶液中的待检测物富集于传感器表面上的亲水性检测区域，通过荧光光谱法、比色法、拉曼光谱法或伏安曲线法，对亲水性检测区域中的待检测物所发出的荧光光谱、透射光谱、反射光谱或电流强度信号进行检测，实现对待检测物的检测。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征是：所述的含有待检测物的样品溶液的使用量是以大小为10μm～1mm的亲水性检测区域使用0.1～10μL的含有待检测物的样品溶液。