[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于在液晶显示装置的电源断开时去除各子像素的电荷的技术。

背景技术

现有技术中，已知液晶显示装置中在对子像素(或像素)持续施加同一极性的电场时，会发生液晶分子的极化，从而产生子像素特性变化和图像残影等问题。

另外，已知在显示图像的状态下将液晶显示装置的电源断开时，仍对各子像素施加电源断开前的施加电压，继续描绘相同的图像，所以在这种情况下也产生残影现象。

因此，在现有的液晶显示装置中，在断开电源时，执行用于将施加到液晶显示面板的各子像素的电荷释放的规定的断开流程(Off sequence)。

例如，专利文献1中记载有如下技术：在电源电路设有电解电容器，当液晶显示装置的电源被断开时，利用蓄积于该电解电容器的电荷进行在液晶显示面板的整个画面描绘规定的固定图案的处理，由此减少蓄积于子像素的电荷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开特许公报“特开2000-131671号公报(2000年5月12日公开)”

发明内容

发明要解决的技术问题

此外，近年来，通过使用由氧化物半导体(例如铟镓锌氧化物半导体)等构成的断开漏泄电流少的TFT(薄膜晶体管)来减少纵影(vertical shadow)以及降低间歇驱动的耗电的液晶显示装置正在开发中。

但是，这种液晶显示装置与现有的使用由非晶硅、低温多晶硅等构成的TFT的液晶显示装置相比，断开漏泄电流非常少，所以具有电源断开时蓄积于子像素的电荷难以释放的特性。

图17是将由铟镓锌氧化物半导体构成的TFT、由低温多晶硅(LTPS)构成的TFT和由非晶硅(a-Si)构成的TFT的断开漏泄电流特性进行比较的图。图17的横轴表示TFT的栅极-源极间的电位差(Vg-Vs)，纵轴表示流过源极-漏极间的电流。

如图17所示，由铟镓锌氧化物半导体构成的TFT，具有断开漏泄电流为由非晶硅构成的TFT的1/1000以下、由低温多晶硅构成的TFT的1/10000以下的特性。

由氧化物半导体构成的TFT所具有的上述断开漏泄电流少这一特性，提高了驱动时的特性(降低耗电等)，但另一方面，存在液晶显示装置的电源断开时充到子像素电极的电荷不容易释放的问题。如果在子像素电极中残留有电荷，则由于子像素电极与对置电极之间的电位差而对液晶层施加一定方向的电场，由极性分子构成的液晶分子有时会发生极化，导致产生特性偏差、图像残影等问题。

因此，在使用由氧化物半导体等构成的断开漏泄电流少的TFT的情况下，即使通过上述专利文献1中公开的处理使电源断开时蓄积于子像素中的电荷减少，有时也会因该处理中未除尽而残留于子像素的电荷而发生残影等问题。另外，专利文献1的技术中，需要设置执行断开流程的电路和预先充有用于执行断开流程的电力的电场电容器等充电单元，所以也存在致使制造成本增大的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种电源断开时不容易在子像素中蓄积电荷的液晶显示装置。

解决技术问题的技术手段

本发明的一个方式的液晶显示装置，其包括多个具有由薄膜晶体管构成的开关元件的子像素，在对上述薄膜晶体管的栅极端子施加用于使该薄膜晶体管导通的电位的期间，对该薄膜晶体管的源极端子施加与图像数据相应的电位，由此根据图像数据驱动与该薄膜晶体管对应的子像素，上述液晶显示装置的特征在于：根据图像数据施加到上述源极端子的电位的最小值，被设定为比接地电位低的值。

发明效果

根据上述结构，与根据图像数据施加到源极端子的电位的最小值为接地电位的现有的液晶显示装置相比，能够使液晶显示装置的电源断开时的源极端子的电位接近接地电位。由此，使电源断开时的开关元件的断开漏泄电流增大，能够使蓄积于子像素的电荷容易释放。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的液晶显示装置的概略结构的说明图。

图2是表示图1所示的液晶显示装置所具有的液晶面板的结构的说明图。

图3是表示图2所示的液晶面板所具有的TFT基板的结构的说明图。

图4是表示图2所示的液晶面板所具有的子像素的结构的说明图。

图5是图4所示的子像素的等效电路图。

图6是表示图1所示的液晶显示装置所具有的源极电源电路中设置的低电平侧电源电路的结构例的说明图。

图7是表示图1所示的液晶显示装置所具有的栅极驱动器的结构的说明图。