[发明专利]一种信息保护装置及保护方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种信息保护装置及保护方法，以及包含所述信心保护装置的电子装置。

背景技术

电可擦可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory)，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片；其可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。EEPROM是非易失性存储器，其中的闪速EEPROM发展迅速。EEPROM比DRAM复杂，因此EEPROM的集成度很难提高。

一个EEPROM存储单元的存储信息的部分就像一个常闭或常开的晶体管，当浮栅充电时，容纳电荷或者阻碍电子从控制栅流向硅；充电通过将源/漏接地，于控制栅上施加电压来完成；施加反向电压，将使电荷流向硅衬底。这样，基于一个存储单元存储1位(bit)数据，随着大规模的存储单元阵列结构，芯片尺寸增大。

随着集成电路技术的持续发展，芯片上将集成更多器件，芯片也将采用更快的速度。在这些要求的推进下，器件的几何尺寸将不断缩小，在芯片的制造工艺中不断采用新材料、新技术和新的制造工艺。同时对于器件的稳定性提出了更高的要求。

随着EEPROM在智能卡以及银行卡等产品中的应用，如何保持卡片内部保密信息的安全成为非常关键的因此，例如所述卡片具有自身安全保护功能，如果卡片需要在特定的环境下删除信息，例如在光照（light illumination）情况下，所述信息会自动丢失（loss）。

在EEPROM平台中现在并没有如上所述的自身安全保护功能，所述器件存在很大的安全隐患，因此需要对所述器件作进一步的改进，以便消除上述缺陷。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种信息保护装置，包括控制电路和光电二级管，其中所述控制电路和所述光电二级管相串联，并控制所述光电二级管导通，以实现电位信号的重设，防止信息外泄。

作为优选，所述控制电路至少包括重设晶体管M1和输出晶体管M3，其中，所述重设晶体管M1的漏极与电源电压相连接，所述重设晶体管M1的栅极与重设控制信号端相连接，所述重设晶体管M1的源极与所述输出晶体管M3的漏极相连接，所述输出晶体管M3的源极和信号输出端相连接；

其中，所述光电二极管的负极与所述重设晶体管M1的源极相连接，所述光电二极管的正极接地。

作为优选，所述输出晶体管M3的栅极与信号选择端相连接。

作为优选，所述重设控制信号选用脉冲电压。

作为优选，所述脉冲电压的脉冲周期为0.2秒，所述脉冲电压为矩形波，所述脉冲电压的幅度为1.8V并持续0.05s。

作为优选，所述控制电路还进一步包括第二晶体管M2，设置于所述重设晶体管M1和输出晶体管M3之间，所述第二晶体管M2的栅极与所述重设晶体管M1源极相连接，所述第二晶体管M2漏极与电源电压相连接，所述第二晶体管M2源极与所述输出晶体管M3的漏极相连接。

本发明还提供了一种基于上述保护装置的保护方法，包括所述控制电路控制所述光电二极管导通，实现对所述保护电路的重设，以防信息外泄。

作为优选，所述电源电压和所述信号选择端选用大小相同的恒定电压。

作为优选，所述重设控制信号选用脉冲电压。

作为优选，所述重设信号处于低电位时，所述光电二极管断开；所述重设控制信号处于高电位时，所述光电二极管导通，实现信息的重设。

本发明还提供了一种电子装置，包括信息存储装置及上述的信息保护装置。

作为优选，所述信息存储装置包括EEPROM。

作为优选，所述电子装置包括银行卡和金融卡。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种信息保护装置，所述保护装置中包括控制电路以及光电二极管，其中所述控制电路在接受信号后能够控制所述光电二极管导通，导通之后对原有的电位信息进行重设，从而破坏原有的电位信息，以防信息外泄，从而实现信息的自我保护功能，从而使各种保密信息更加安全。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，