[发明专利]一种保护晶圆接合焊盘的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种保护晶圆接合焊盘的方法。

背景技术

在一个晶圆上，通常由几百个至数千个晶粒（Die）连在一起。将半导体晶圆(Wafer)，逐一切割成电路体系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)单位，其分割之过程称为划片（Dicing）。在高密度晶粒（die）的晶圆划片过程中，长时间激光或物理切割产生的残渣及水冲，有可能对裸露的接合焊盘（Bonding PAD）产生损伤，造成焊盘（PAD）被侵蚀，严重影响后续的键合制程。

为防止在切割过程中晶圆接合焊盘受损，有必要采取措施对PAD进行保护。

因此，急需一种新的保护方法，以克服现有技术中的不足。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种保护晶圆接合焊盘的方法，包括下列步骤：提供晶圆；在所述晶圆正面的接合焊盘上形成脂肪族聚碳酸酯薄膜；对所述晶圆进行分割；热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜。

优选地，所述脂肪族聚碳酸酯薄膜材料为聚碳酸亚丙酯。

优选地，将所述脂肪族聚碳酸酯原料溶解于苯甲醚中，通过旋涂的方式均匀覆盖所述晶圆表面。

优选地，进行所述旋涂后还包括烘干的步骤。

优选地，所述烘干的温度为100～120℃。

优选地，所述热分解温度为240～260℃。

综上所示，根据本发明的制造工艺采用脂肪族聚碳酸酯薄膜覆盖在晶圆的表面芯片区域，有效避免切割过程中产生的残渣及溶液对焊盘的侵蚀，进而提高了器件的良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-1E为根据本发明示例性实施例的方法依次实施步骤的剖面示意图；

图2为根据本发明示例性实施例的方法依次实施步骤的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的制造工艺。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

[示例性实施例]

下面将结合示例性剖面图对本发明进行更详细的描述，其中标示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以进行修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。

首先，如图1A所示，提供晶圆。所述晶圆包含几百至几千个电路体系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)单位。每个晶粒100都包含一个焊盘101。每个晶粒之间存在间隙，此间隙可以称为划片槽（Scribe Lane）102。在对所述晶圆进行后续制程前，已经采用WAT及CP测试系统对其进行测试。

接着，如图1B所示，执行背部研磨工艺后，在所述晶圆正面的接合焊盘101上形成脂肪族聚碳酸酯薄膜103。

对晶圆背部进行研磨至目标厚度，采用现有技术进行所述研磨，在此不做赘述。