[发明专利]射频放大电路以及功率放大模块有效
申请号: | 201410100764.8 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104065349B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 筒井孝幸;田中聪;嶋本健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/20;H04B1/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 放大 电路 以及 功率 模块 | ||
1.一种射频放大电路,其特征在于,包括:
放大晶体管,该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出;
第1偏压用晶体管,该第1偏压用晶体管与所述放大晶体管进行电流镜连接,将偏压提供给所述放大晶体管;以及
第2偏压用晶体管,该第2偏压用晶体管与所述放大晶体管的基极进行射极跟随器连接,将偏压提供给所述放大晶体管,
相互独立地控制施加在所述第1偏压用晶体管的集电极一侧的第1控制电压、以及施加在所述第2偏压用晶体管的基极一侧的第2控制电压,
能够将所述第2控制电压维持在规定电平不变而改变所述第1控制电压。
2.如权利要求1所述的射频放大电路,其特征在于,
还包括电压调整电路,该电压调整电路根据所述第2偏压用晶体管的温度特性,来调整施加在所述第2偏压用晶体管的基极上的电压。
3.如权利要求2所述的射频放大电路,其特征在于,
所述电压调整电路包含电压调整用晶体管,该电压调整用晶体管具有与所述第2偏压用晶体管相等同的基极/发射极间电压的温度特性,将与该电压调整用晶体管的基极/发射极间电压相对应的电压提供至所述第2偏压用晶体管的基极。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的射频放大电路,其特征在于,
还包括一端与所述第1偏压用晶体管的基极相连,另一端接地的电容器。
5.如权利要求1所述的射频放大电路,其特征在于,还包括,
第2放大晶体管,该第2放大晶体管将从所述放大晶体管经由匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出;
第3偏压用晶体管,该第3偏压用晶体管与所述第2放大晶体管进行电流镜连接,将偏压提供给所述第2放大晶体管;以及
第4偏压用晶体管,该第4偏压用晶体管与所述第2放大晶体管的基极进行射极跟随器连接,将偏压提供给所述第2放大晶体管。
6.如权利要求5所述的射频放大电路,其特征在于,
独立形成有施加在所述第1及第3偏压用晶体管的集电极一侧的第1控制电压的输入端子、以及施加在所述第2及第4偏压用晶体管的基极一侧的第2控制电压的输入端子。
7.如权利要求5所述的射频放大电路,其特征在于,
以公共端子来形成施加在所述第1及第3偏压用晶体管的集电极一侧的第1控制电压的输入端子、以及施加在所述第2及第4偏压用晶体管的基极一侧的第2控制电压的输入端子。
8.如权利要求5至7的任一项所述的射频放大电路,其特征在于,
还包括电压调整电路,该电压调整电路根据所述第2及第4偏压用晶体管的温度特性,来调整施加在所述第2及第4偏压用晶体管的基极的电压。
9.如权利要求1至3、5至7的任一项所述的射频放大电路,其特征在于,
构成该射频放大电路的晶体管是异质结双极晶体管。
10.如权利要求4所述的射频放大电路,其特征在于,
构成该射频放大电路的晶体管是异质结双极晶体管。
11.如权利要求8所述的射频放大电路,其特征在于,
构成该射频放大电路的晶体管是异质结双极晶体管。
12.一种功率放大模块,其特征在于,包括:
如权利要求1至11的任一项所述的射频放大电路;以及
生成提供给所述射频放大电路的控制电压的控制电压生成电路。
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