[发明专利]用于提取AMOLED显示器的老化图案的带边缘检测的再插值

说明书

技术领域

本发明大体上涉及在显示器中使用的电路以及用于估计或提取显示器的老化图案的方法，尤其涉及用于估计或提取有源矩阵有机发光二极管显示器的老化图案的方法。

背景技术

可以通过均由单独的电路(即，像素电路)控制的发光器件的阵列来制造显示器，上述像素电路具有用于选择性地进行控制以对这些电路进行显示信息的编程并使它们根据显示信息来发光的晶体管。可以将在基板上制造的薄膜晶体管(“TFT”)结合到这类显示器中。随着显示器的老化，TFT往往随着时间在整个显示器面板中表现出非均匀的特性。可以将补偿技术应用到这种显示器以实现显示器的图像均匀性并且消除显示器随着显示器老化的劣化。

考虑具有N_R行和N_C列像素的有源矩阵有机发光器件(active matrix organic light-emitting device，AMOLED)显示器。令大小为N_R×N_C的矩阵X代表整个屏幕上的像素的V_T偏移或迁移指数。问题在于以最小数量的像素测量来估计矩阵X。矩阵X被用于调整每个单独像素的输入电压(补偿)以使屏幕的所有像素具有均匀的强度。

需要使测量的数量最小化，以减小非均匀性补偿所需要的时间间隔。这种时间上的节约进一步允许重复多次测量以通过平均来减小加性噪声(additive noise)的方差。

发明内容

对于本领域的普通技术人员来说，在阅读了本发明的各实施方式和/或各方面的详细说明之后，本发明的前述的和其它的方面及实施方式将变得更加清楚。上述详细说明是通过参照附图进行的，接下来将对这些附图进行简单说明。

根据本发明的一个方面，提出了一种在显示器上进行识别的方法，所述显示器具有像素，所述像素由于每个所述像素中的电流驱动型部件的一个以上的老化特性的偏移而老化，所述方法包括如下步骤：通过使用测量电路，利用下采样率K_V×K_H按照下述方式测量所述显示器的至少第一区域中的至少一部分但非全部像素的老化特性以产生初始像素测量的集合。在一个方面，除了位于显示器底部的少数行和位于显示器右侧的少数列以外，第一区域几乎覆盖显示器上的全部像素。在另一个方面，第一区域覆盖显示器的所有的像素。K_V和K_H是相同的或彼此不同的正整数。该方法还包括：对所述初始像素测量的集合插值，以产生至少针对所述第一区域的初始老化图案；将所述初始老化图案存储在存储设备中；通过使用边缘检测算法，在所述初始老化图案中定位与像素强度的非连续性相对应的边缘；通过使用所述测量电路，测量那些沿着所述初始老化图案中的所定位的边缘且未在所述初始像素测量的集合中被测量的像素的老化特性，以产生边缘测量的集合；通过使用所述初始像素测量的集合以及所述边缘测量的集合来应用分散插值算法，以产生至少所述第一区域的优化老化图案；以及将所优化的老化图案的指示存储在所述存储设备中。

该方法可进一步包括：通过使用所述测量电路，对位于所述显示器的最后一行的每第K_H个像素的老化特性和位于所述显示器的最后一列的每第K_V个像素的老化特性进行测量以将其包含到所述初始像素测量的集合中。

所述方法可进一步包括：如果位于所述显示器的最后一行并且位于最后一列的像素的老化特性未被测量以至于未出现在所述初始像素测量的集合中，则通过使用所述测量电路，对位于所述显示器的最后一行并位于最后一列的像素的老化特性进行测量以将其包含到所述初始像素测量的集合中。

该方法还可包括：通过使用所述测量电路，进一步测量在水平方向上从所定位的边缘开始的至少K_H个像素中的至少部分像素的老化特性并且测量在垂直方向上从所定位的边缘开始的K_V个像素中的至少部分像素，以产生额外边缘测量的集合：以及将所述额外边缘测量的集合添加到所述边缘测量的集合。所述应用所述分散差值算法的步骤还基于所述额外边缘测量的集合。

所述进一步测量的步骤可包括：从沿着所定位的边缘的初始像素开始，测量由至少具有大小(K_H+1)×(K_V+1)的块界定的至少每个未被测量的像素的老化特性；并将这些进一步测量的像素包含到所述额外边缘测量的集合中。