[发明专利]用于提取AMOLED显示器的老化图案的带边缘检测的再插值无效

专利信息
申请号: 201410093802.1 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN104050913A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 戈尔拉玛瑞扎·恰吉;迈赫迪·托巴蒂安 申请(专利权)人: 伊格尼斯创新公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要:
搜索关键词: 用于 提取 amoled 显示器 老化 图案 边缘 检测 再插值
【权利要求书】:

1.一种在显示器上进行识别的方法,所述显示器具有像素,所述像素由于每个所述像素中的电流驱动型部件的一个以上的老化特性的偏移而老化,所述方法包括如下步骤:

通过使用测量电路,利用下采样率KV×KH按照下述方式测量所述显示器的至少第一区域中的至少一部分但非全部像素的老化特性以产生初始像素测量的集合:沿所述第一区域的列测量至少每第KV个像素的老化特性,并且沿所述第一区域的行测量至少每第KH个像素的老化特性,其中,KV和KH是相同的或彼此不同的正整数;

对所述初始像素测量的集合插值,以产生至少针对所述第一区域的初始老化图案;

将所述初始老化图案存储在存储设备中;

通过使用边缘检测算法,在所述初始老化图案中定位与像素强度的非连续性相对应的边缘;

通过使用所述测量电路,测量那些沿着在所述初始老化图案中所定位的边缘且未在所述初始像素测量的集合中被测量的像素的老化特性,以产生边缘测量的集合;

通过使用所述初始像素测量的集合以及所述边缘测量的集合来应用分散插值算法,以产生至少所述第一区域的优化老化图案;以及

将所述优化老化图案的指示存储在所述存储设备中。

2.如权利要求1所述的方法,其还包括:

如果位于所述显示器的最后一列中的像素的老化特性未被测量以致于未出现在所述初始像素测量的集合中,则通过使用所述测量电路,对位于所述显示器的被定义成第二区域的至少最后一列中的每第KV个像素的老化特性进行额外测量,并将对所述第二区域的这些额外测量包含到所述初始像素测量的集合中。

3.如权利要求1所述的方法,其还包括:

如果位于所述显示器的最后一行中的像素的老化特性未被测量以致于未出现在所述初始像素测量的集合中,则通过使用所述测量电路,对位于所述显示器的被定义成第三区域的至少最后一行中的每第KH个像素的老化特性进行额外测量,并将对所述第三区域的这些额外测量包含到所述初始像素测量的集合中。

4.如权利要求1所述的方法,其还包括:

如果位于所述显示器的最后一行并且位于所述显示器的最后一列的像素的老化特性未被测量以致于未出现在所述初始像素测量的集合中,则通过使用所述测量电路,对位于所述显示器的被定义成第四区域的最后一行并位于最后一列的像素的老化特性进行额外测量,并将对所述第四区域的这些额外测量包含到所述初始像素测量的集合中。

5.如权利要求1所述的方法,其还包括:

通过使用所述测量电路,进一步测量在水平方向上从所定位的边缘开始的KH个像素中的至少部分像素的老化特性以及在垂直方向上从所定位的边缘开始的KV个像素中的至少部分像素的老化特性,以产生额外边缘测量的集合:以及

将所述额外边缘测量的集合添加到所述边缘测量的集合,其中,应用所述分散差值算法的步骤还基于所述额外边缘测量的集合。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述进一步测量的步骤包括:

在所定位的边缘周围并在所述初始像素测量的集合中的相邻像素的坐标之间,测量由具有至少(KH+1)×(KV+1)的大小的块界定的每个未被测量的像素的老化特性,以及

将这些进一步测量的像素包含到所述额外边缘测量的集合中。

7.如权利要求5所述的方法,其中,所述进一步测量的步骤包括:

在所定位的边缘周围并在所述初始像素测量的集合中的相邻像素的坐标之间,测量与所定位的边缘位于同一行的水平方向上的至少(KH+1)个未被测量的像素中的每一者的老化特性以及与所定位的边缘位于同一列的垂直方向上的至少(KV+1)个未被测量的像素中的每一者的老化特性,以及

将这些进一步测量的像素包含到所述额外边缘测量的集合中。

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