[发明专利]一种集成电路

说明书

技术领域

本发明总体涉及一种集成电路，尤其涉及提高放大器性能的集成电路。

背景技术

调频（Frequency Modulated，FM）发射器（Transmitter）通常使用耦接的LC储能电路（LC tank circuit）作为负载。由于该调频的频率范围为65MHz～108MHz，所以不可能在硅片（silicon die）上同时使用电容器(capacitor)以及电感器(inductor)。在实际的硅片区域（silicon die area）上，仅仅电容器在片上实施并且可调谐以用于信道的选择。利用外部的电感器（L）来构成需要的LC储能电路，比如L=120nH。该FM发射器需要一平坦的增益响应。

由于一些原因，FM发射器在一感兴趣的频率范围内保持一平坦增益是必要的。这些原因中部分原因列举如下：

-对于FM发射器的功率每增长1dB，该FM发射器的第N次谐波（harmonic）增长N dB。

-由于FM发射器具有宽的调频操作频率范围，例如65MHz～108MHz，FM发射器输出上的谐波电平（harmonics level）变得很重要。例如，在调频频率的较高频率，第9次谐波落入一GSM频段。

-对于FM发射器，在120dBμV上的理想信号被遍布在整个频率范围65MHz～108MHz。落入蜂窝频带（cellular band）内的相应谐波最多能为-120dBm(conducted)，才能避免干扰蜂窝系统。

-如果FM发射器的增益是不平坦的，那么为了满足在65MHz需要的信号电平120dBμV则会导致在108MHz上的输出电平较高，以及相应的蜂窝带内谐波将做出妥协（compromised）。

然而，如果FM发射器的增益在感兴趣的频率范围内是平坦的，则上述提及的问题将被最小化。

然而，当使用一外部的电感器（L）时，提供在宽频率范围内具有平坦增益的FM发射器存在一些限制因素。下面描述一些限制因素：

-外部电感器L的Q（quality）要在一宽频率操作范围内变化（例如，65MHz～108MHz）

-外部电感器L的Q随着制造商而变化。

-外部电感器L本身的频率响应在宽频率操作范围内变化很大。

由于具有这样的外部电感器特性，所以FM发射器中与外部电感器耦接的放大器的输出不能具有平坦的增益响应，因此在不严重影响FM发射器的成本以及尺寸的情况下，FM发射器在65MHz＜f＜108MHz上很难获得平坦的增益响应。

因此，我们需要能够解决上述提及问题的系统。

发明内容

本发明实施例提供一种集成电路，以解决上述提及的技术问题。

本发明实施例提供一种集成电路，其包括：一放大器；一电容器阵列，与该放大器耦接并且并联，其中，该电容器阵列被配置为与一电感器并联耦接，该电感器位于该集成电路的外部，其中，该电容器阵列和该电感器形成一储能电路；一电阻器阵列，与该电容器阵列并联耦接，其中，该电阻器阵列用于提供该电容器阵列和该电阻器阵列的整体频率响应，在一预定频率范围内该整体频率响应的变化方向与该电感器的频率响应的变化方向相反。

可选的，该电阻器阵列可以嵌入在该电容器阵列中，在该电阻器阵列中的每一个电阻器包括偏置电阻，该偏置电阻的端由开关控制，该开关包括一PN结。对于特定操作频率，当该电容器没有被选择时，在该电容器与该偏置电阻连接的节点处的负向信号摆动期间，该偏置电阻通过将该节点耦接到特定的偏置电压来确保该开关处于不导通状态，其中，该特定的偏置电压为较高的偏置电压。

上述集成电路通过增加与电容器阵列并联的电阻器阵列，使得该电容器阵列的频率响应可以被校正，进而使得放大器的输出可具有平坦的增益响应。

附图说明

图1A示出在LC储能电路中的电容器阵列预校正之前，LC储能电路的整体响应;

图1B示出在LC储能电路中的电容器阵列预校正之后，LC储能电路的整体响应；

图2示出本发明提供的一放大器电路的一第一实施例；

图3以及图4A-4C示出本发明一实施例提供的电容器阵列的操作；

图5A示出本发明一实施例提供的该LC储能电路的电容器阵列的串联和并联等效电路；

图5B示出本发明一实施例提供的该LC储能电路的外部电感器的串联和并联等效电路；

图6示出本发明一实施例提供的LC等效储能电路的示意图；

图7示出实现电阻器以及电容器阵列的一第一实施例；