[发明专利]于集成电路产品的不同结构上形成不对称间隔件的方法

权利要求书

1.一种方法，包含：

在半导体基板之上形成结构；

进行保形沉积工艺，以在该结构之上形成未掺杂间隔件材料层；

进行倾角离子注入工艺，以在该未掺杂间隔件材料层中形成掺杂间隔件材料区，并使该未掺杂间隔件材料层的其它部份不被掺杂；以及

在进行该倾角离子注入工艺后，进行移除该未掺杂间隔件材料层的该等未掺杂部份的至少一个蚀刻工艺，以及藉此产生由邻近该结构的至少一个侧面但不是所有侧面的该掺杂间隔件材料所构成的侧壁间隔件。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成该未掺杂间隔件材料层之前，在该结构及该基板上形成保护层，该未掺杂间隔件材料层形成于该保护层上。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该未掺杂间隔件材料层由未掺杂非晶硅所构成。

4.如权利要求1所述的方法，其中，以对于与该基板的上表面垂直的直线落在约5至45度的范围内的角度，进行该倾角离子注入工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中，使用二氟化硼、硼或碳的其中一者进行该倾角离子注入工艺。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使用约在1e¹⁴至1e¹⁵个离子/平方公分之间的掺质剂量及约在1至20keV之间的能阶，进行该倾角离子注入工艺。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：进行加热工艺，以将该侧壁间隔件的至少一部份转换成氧化物材料。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在火炉或RTA室的其中一者中进行该加热工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中，进行至少一个蚀刻工艺包括：

进行选择性地移除该未掺杂间隔件材料层的该等未掺杂部份并留下该掺杂间隔件材料区的第一蚀刻工艺；以及

进行第二非等向性蚀刻工艺，以移除该掺杂间隔件材料区的数个部份，以便藉此定义该侧壁间隔件。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该结构包含用于晶体管的栅极电极结构。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该侧壁间隔件只邻近该结构的一个侧面。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该侧壁间隔件只邻近该结构的两个侧面。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：进行附加的倾角离子注入工艺，其中，该侧壁间隔件只邻近该结构的三个侧面。

14.一种方法，包含：

在半导体基板之上形成结构；

进行保形沉积工艺，以在该结构之上形成未掺杂间隔件材料层；

以由二氟化硼、硼或碳的其中一者所构成的掺质材料进行倾角离子注入工艺，以在该未掺杂间隔件材料层中形成包含该掺质材料的掺杂间隔件材料区，并使该未掺杂间隔件材料层的其它部份不被掺杂；

在进行该倾角离子注入工艺后，进行选择性地移除该未掺杂间隔件材料层的该等未掺杂部份并留下该掺杂间隔件材料区的第一蚀刻工艺；以及

进行第二非等向性蚀刻工艺，以移除该掺杂间隔件材料区中方向与该基板的上表面实质平行的部份，以便藉此定义由邻近该结构的至少一个侧面但不是所有侧面的该掺杂间隔件材料所构成的侧壁间隔件。

15.如权利要求14所述的方法，还包括：在形成该未掺杂间隔件材料层之前，在该结构及该基板上形成保护层，该未掺杂间隔件材料层形成于该保护层上。

16.如权利要求14所述的方法，其中，该未掺杂间隔件材料层由未掺杂非晶硅所构成。

17.如权利要求14所述的方法，其中，以对于与该基板的上表面垂直的直线落在约5至45度的范围内的角度，进行该倾角离子注入工艺。

18.如权利要求14所述的方法，其中，使用约在1e¹⁴至1e¹⁵个离子/平方公分之间的掺质剂量及约在1至20keV之间的能阶，进行该倾角离子注入工艺。

19.如权利要求14所述的方法，还包括：进行加热工艺，以将该侧壁间隔件的至少一部份转换成氧化物材料。