[发明专利]像素电路、显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及像素电路、显示装置和电子设备，并且更具体地，涉及能够抑制各像素的亮度变化的像素电路、显示装置和电子设备。

背景技术

近年来，已经开发出了使用有机电致发光（electro luminescent，EL）元件作为像素中的发光元件的平面自发光型面板（以下，称作“有机EL面板”）。有机EL元件是具有二极管特性且利用当电场被施加给有机薄膜时就发光的现象的元件。

此外，在有机EL面板之中，特别地，已经积极地开发了具有作为驱动元件的薄膜晶体管的有源矩阵型有机EL面板，所述薄膜晶体管被集成地形成于各像素中。

在这种类型的有机EL面板中，各像素通常包括有机EL元件、保持电容器（holding capacitor）、用于对图像信号进行采样的采样晶体管、和用于驱动有机EL元件的驱动晶体管。换句话说，通过控制由驱动晶体管提供给有机EL元件的驱动电流来调节像素的发光亮度。

然而，一般地，由a-Si、p-Si或氧化物半导体形成的薄膜晶体管具有大的变化。此外，由于该大的变化的影响，驱动晶体管的能力也会出现变化。当在像素之间存在着驱动晶体管的驱动能力变化时，该变化表现为像素之间的亮度差别，且因此该变化可能会被视为有机EL面板的不均匀性。

为此，已经提出了用于避免这种现象的各种技术。例如，日本未经审查的专利申请公开案No.2003-271095揭示了用于补偿驱动晶体管的能力差别的技术。

日本未经审查的专利申请公开案No.2003-271095揭示了如下技术：该技术保持与驱动晶体管的阈值电压相等的电位作为栅极电位以校正阈值电压。

然而，在该技术中，当在保持了与阈值电压相等的电位之后采样晶体管的栅极电位发生改变时，驱动晶体管的栅极电位就会因采样晶体管的栅极和源极的寄生电容而改变。结果，驱动晶体管的阈值电压的校正值因为寄生电容的变化而改变，且因此各像素出现亮度变化。

发明内容

如上所述，在有机EL面板中，期望能够抑制各像素的亮度变化。相应地，期望能够抑制采样晶体管的寄生电容的变化。

本发明是鉴于上述这样的情况而创造的，并且可以通过适当地抑制采样晶体管的寄生电容的变化来抑制各像素的亮度变化。

鉴于上述目的，下面的说明涉及一种像素电路，该像素电路包括：第一晶体管，其具有导致寄生电容的第一偏差；以及补偿元件，其具有导致补偿电容的第二偏差，所述补偿电容用于补偿所述寄生电容。

本发明还涉及一种显示装置，其包括上述像素电路。

本发明还涉及一种电子设备，其包括上述显示装置。

此外，下面还可以涉及一种像素电路，该像素电路包括：第一晶体管；保持电容器；第一金属部，其连接至所述保持电容器；以及第二金属部。在该像素电路中，所述第一晶体管包括沟道部，所述沟道部连接至所述第一金属部，所述第一金属部包括第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘，所述第一边缘被设置成与所述第一晶体管的栅极电极重叠，所述第二边缘被设置成与所述第二金属部重叠，并且所述第一晶体管的所述栅极电极与所述第二金属部是相同材料。另外，所述第一晶体管的所述栅极电极可以布置于与所述第二金属部同一层处。

根据本发明的各实施例，能够抑制各像素的亮度变化。

附图说明

图1是图示了有机EL面板的构造示例的图；

图2是图示了一般像素的构造的电路图；

图3是图示了一般像素的布线图案的布局的图；

图4A和图4B是图示了一般像素中因金属层的偏差而引起的电容增大的图；

图5是图示了本发明的像素的构造的电路图；

图6是图示了本发明的像素的布线图案的布局的图；

图7A和图7B是图示了本发明的像素中因金属层的偏差而进行电容补偿的图；

图8是图示了本发明的像素的布置示例的图；

图9是图示了本发明的像素的布线图案的另一布局的图；

图10是图示了本发明的像素的布线图案的又一布局的图；

图11是图示了薄膜晶体管的结构示例的图；

图12是图示了本发明适用的显示模块的构造的图；

图13是图示了本发明适用的电视接收机的外观的立体图；

图14是图示了本发明适用的数码照相机的外观的立体图；

图15是本发明适用的笔记本型个人计算机的外观的立体图；

图16是图示了本发明适用的手机的外观的立体图；以及