[发明专利]像素电路、显示装置和电子设备无效

专利信息
申请号: 201410062320.X 申请日: 2014-02-24
公开(公告)号: CN104077998A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 木下智豊 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;褚海英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其包括:

第一晶体管,所述第一晶体管具有导致寄生电容的第一偏差;以及

补偿元件,所述补偿元件具有导致补偿电容的第二偏差,所述补偿电容补偿所述寄生电容。

2.如权利要求1所述的像素电路,其中所述补偿电容根据所述第一偏差与所述第二偏差之间的补偿关系来补偿所述寄生电容。

3.如权利要求1所述的像素电路,其中所述第二偏差与所述第一偏差成比例。

4.如权利要求1所述的像素电路,其中所述第一偏差基于所述第一晶体管的栅极与源极之间的第一重叠。

5.如权利要求4所述的像素电路,其中所述第二偏差基于与所述第一重叠成比例的第二重叠。

6.如权利要求1所述的像素电路,其中所述第二偏差引起所述补偿元件的电容的减小,以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生电容的增大。

7.如权利要求1所述的像素电路,其中所述第二偏差引起所述补偿元件的电容的增大,以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生电容的减小。

8.如权利要求1至7中任一项所述的像素电路,其中所述补偿元件是第二晶体管。

9.如权利要求8所述的像素电路,其中

所述第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的源极,

所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接至信号线,并且

所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极连接至图像线。

10.如权利要求1至7中任一项所述的像素电路,其中所述补偿元件是电容器。

11.如权利要求10所述的像素电路,其中所述电容器的一部分连接至所述第一晶体管的源极。

12.如权利要求1至7中任一项所述的像素电路,其中

所述第一晶体管的栅极是第一金属层,

所述第一晶体管的源极是第二金属层,并且

所述第一偏差是所述第一金属层与所述第二金属层之间的重叠。

13.如权利要求1至7中任一项所述的像素电路,其还包括驱动晶体管,并且

其中所述第一晶体管的栅极连接至信号线,且所述第一晶体管的源极连接至所述驱动晶体管的栅极。

14.如权利要求1至7中任一项所述的像素电路,其中所述第一晶体管和所述补偿元件沿第一方向布置着。

15.一种像素阵列部,其包括多个如权利要求1至14中任一项所述的像素电路。

16.如权利要求15所述的像素阵列部,其中所述多个像素电路中的一个像素电路与所述多个像素电路中的另一个像素电路具有点对称关系。

17.如权利要求16所述的像素阵列部,其中所述多个像素电路中的所述点对称关系是所述一个像素电路与所述另一个像素电路以电源线上的点为中心呈镜像对称。

18.一种显示装置,其包括权利要求1至14中任一项所述的像素电路。

19.一种电子设备,其包括权利要求18所述的显示装置。

20.一种像素电路,其包括:

第一晶体管;

保持电容器;

第一金属部,所述第一金属部连接至所述保持电容器;以及

第二金属部,

其中所述第一晶体管包括沟道部,所述沟道部连接至所述第一金属部,

所述第一金属部包括第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘,

所述第一边缘被设置成与所述第一晶体管的栅极电极重叠,

所述第二边缘被设置成与所述第二金属部重叠,并且

所述第一晶体管的所述栅极电极和所述第二金属部是相同材料。

21.如权利要求20所述的像素电路,所述第一晶体管的所述栅极电极布置于与所述第二金属部同一层处。

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