[发明专利]聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法及多层陶瓷电容器的制备方法

权利要求书

1.一种聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

使用传送装置传送聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜，所述传送的速度为6m/min～10m/min；及

在保护气体氛围中，将氧等离子体引流至所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜涂有硅油层的一面，使所述氧等离子体与所述硅油层发生反应，得到清洗后的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜。

2.如权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述氧等离子体由以下步骤制备：

将压缩空气通入等离子体发生装置，加压，使所述压缩空气中的氧气转变成氧等离子体。

3.如权利要求2所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述传送装置包括卷出轴和卷入轴；所述使用传送装置传送聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的步骤具体为：

将所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜经过所述卷出轴延展，再由卷入轴卷绕，带动所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜移动，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜涂有硅油层的一面面向所述等离子体发生装置。

4.如权利要求2所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述将压缩空气通入等离子体发生装置，加压，使所述压缩空气中的氧气转变成氧等离子体的步骤中，所述电压为5KV～10KV。

5.如权利要求2所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述压缩空气的压强为0.2MPa～0.8MPa。

6.如权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述在保护气体氛围中，将氧等离子体引流至所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜涂有硅油层的一面的步骤中，所述氧等离子体到达所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜涂有硅油层的一面的垂直距离为3mm～5mm。

7.如权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的厚度为22μm～42μm。

8.如权利要求1所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。

9.如权利要求2所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的清洗方法，其特征在于，所述保护气体与所述压缩空气的体积比为1:4～1:2。

10.一种多层陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

使用传送装置传送聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜，所述传送的速度为6m/min～10m/min；

在保护气体氛围中，将氧等离子体引流至所述聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜涂有硅油层的一面，使所述氧等离子体与所述硅油层发生反应，得到清洗后的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜；及

在所述清洗后的聚对苯二甲酸乙二醇酯硅油膜的表面流延介质层，经丝印、叠片、层压、切割、排胶、高温烧结、倒角、封端、固化及表面处理后，得到多层陶瓷电容器。