[发明专利]一种制备TiAlCrN多元涂层的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201410046151.0 申请日: 2014-02-10
公开(公告)号: CN103981496B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 孔德军;郭皓元;王文昌;付贵忠;叶存冬;王进春 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 213164 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 tialcrn 多元 涂层 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种制备TiAlCrN多元涂层的装置,主要由真空系统、电源系统、控制系统、冷却系统四部分组成,真空系统包括:真空室、靶材、样品架、非平衡磁控管、碘钨灯加热装置、机械泵和扩散泵;机械泵和扩散泵分别与真空室连接,用于安装试样的样品架位于真空室中央,在镀层沉积过程中试样随工件架旋转,使涂层分布均匀,碘钨灯加热装置内置在真空室底部;其特征在于:真空室炉壁上安装有4个靶材:Ti靶、Cr靶、Al靶、Cr靶;4个靶材对称分布;每个靶材上安装有非平衡磁控管从而使得非平衡磁控管也对称分布;使磁力线可以从一个磁控管直接延伸到另一个磁控管,以便产生闭合磁场,有效阻止电子逃逸,提高溅射效率和离化率。

2.如权利要求1所述的一种制备TiAlCrN多元涂层的装置,其特征在于:电源系统分为两部分:一部分为4个非平衡磁控管分别提供直流电压的4个溅射电源,溅射电源与靶材连接;另一部分为试样提供脉冲偏压,与试样连接。

3.如权利要求1所述的一种制备TiAlCrN多元涂层的装置,其特征在于:控制系统包括反应气体N2、保护气体Ar和流量控制计,反应气体N2和保护气体Ar通过流量控制计来引入真空室,调节流量来控制溅射气压,整个系统的运行采用计算机软件进行控制。

4.如权利要求1所述的一种制备TiAlCrN多元涂层的装置,其特征在于:冷却系统包含靶材,为防止溅射导致的靶材温度过高,靶材为空心通孔,类似于水管结构,空心通孔作为冷却水槽,因此可以直接水冷。

5.利用如权利要求1所述的一种制备TiAlCrN多元涂层的装置制备TiAlCrN多元涂层的的方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)利用强磁铁和软铁组成非平衡磁场,选用纯度为99.99%的Ti靶、Al靶和Cr靶作为溅射靶材,规格为100×100mm,试样经80号~1200号砂纸和金相砂纸打磨,粒度为2.5的金刚石抛光剂抛光至镜面,再先后放入丙酮和酒精溶液超声波清洗10min,除去基体表面杂质和油脂;Cr靶和Cr靶、Ti靶和Al各自相对安装在真空室炉壁上,试样安放在样品架上,在镀层沉积过程中试样随工件架旋转,设定工件架旋转速度为20 r/ min,以使镀层均匀;

(2)利用两级真空系统:前级采用机械泵粗抽, 后级采用扩散泵精抽将系统的极限真空度为抽至5×10-3Pa;采用真空室内置碘钨灯装置进行加热,衬底温度控制在200℃,同时纯度99.99%Ar气体通过流量计引入溅射室,溅射气压可通过调节流量来控制,保持溅射气压0.5Pa,对试样进行辉光放电10min;各溅射靶的脉冲电源选择25kHz,0~3A可调的电源,溅射靶材施加50-500V的电压,溅射电源提供;溅射炉体内额定电压为100V~600V,额定功率为50kW,脉冲偏压提供;

(3)磁控管对称分布,这使磁力线可以从一个磁控管直接延伸到另一个磁控管,以便产生闭合磁场,有效阻止电子逃逸,提高溅射效率和离化率;

(4)靶材表面的原子被Ar离子轰击出来形成溅射,原子呈电中性,可以直接冲出磁势阱,不受磁场的约束,这些原子轰击并沉积在工件表面形成致密的镀层;

(5)靶材表面溅射出电子,电子是呈电负性的亚原子微粒,会被磁势阱俘获,在磁势阱内被回旋加速,继而轰击这一区域的Ar原子,使电离出越来越多的Ar离子,溅射过程开始,就会产生越来越多的Ar离子,使辉光放电得以自持,溅射过程持续不断;

(6)大量高能粒子的轰击会导致靶材和磁控管的温度升高,靶材中加入了冷却水槽,使靶材冷却时可以得到循环冷却。

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