[发明专利]检查电路中电迁移的方法和装置

权利要求书

1.一种检查电路中电迁移的方法，所述电路包括鳍式场效晶体管，所述鳍式场效晶体管与金属互连线连接，其特征在于，包括：

确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度；

根据所述鳍式场效晶体管的自发热温度，确定所述金属互连线的电流密度约束值；

根据所述金属互连线的电流密度约束值，确定所述金属互连线的电迁移检查结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据下列信息中的至少一种信息，确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度：所述鳍式场效晶体管包括的鳍片的数量、栅的数量，所述鳍式场效晶体管的有源区面积、功耗、功耗密度、源漏电流和源漏电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据下式确定所述鳍式场效晶体管的功耗：

P＝I·V

其中，P为鳍式场效晶体管的功耗，I和V分别为所述鳍式场效晶体管的源漏电流和源漏电压；

根据所述鳍式场效晶体管的功耗和下式确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度：

ΔT＝A·f(N1,N2,P)+B，

其中，ΔT为所述鳍式场效晶体管的自发热温度，N1为所述鳍式场效晶体管包括的鳍片的数量，N2为所述鳍式场效晶体管包括的栅的数量，P为所述鳍式场效晶体管的功耗、f()为所述鳍式场效晶体管的鳍片的数量N1、栅的数量N2和所述鳍式场效晶体管的功耗P的函数，A和B为常数。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据下式确定所述鳍式场效晶体管的功耗密度：

ρ＝I·V/Area，

其中，ρ为所述鳍式场效晶体管的功耗密度，I和V分别为所述鳍式场效晶体管的源漏电流和源漏电压，Area为所述鳍式场效晶体管的有源区面积；

根据所述鳍式场效晶体管的功耗密度，确定所述鳍式场效晶体管的自发热温度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，确定所述金属互连线的电流密度约束值，包括：

根据所述鳍式场效晶体管的自发热温度，确定所述电路的温度变化值；

根据所述电路的温度变化值，确定所述金属互连线的电流密度约束值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，确定所述电路的温度变化值，包括：

将所述电路所包括的所述鳍式场效晶体管的自发热温度的平均温度值确定为所述电路的所述温度变化值。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，确定所述电路的温度变化值，包括：

将所述电路所包括的所述鳍式场效晶体管的自发热温度的最高温度值确定为所述电路的所述温度变化值。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，确定所述金属互连线的电流密度约束值，包括：

根据所述电路的温度变化值，确定所述电路的仿真温度值；

根据所述电路的仿真温度值，确定所述金属互连线的电流密度约束值。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，确定所述电路的仿真温度值，包括：

将所述电路的温度变化值与所述电路的环境温度之和确定为所述电路的仿真温度值。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，确定所述金属互连线的电迁移检查结果，包括：

根据下式确定所述金属互连线的电迁移检查结果：

EM%=ρρlim,]]>

其中，EM%为所述金属互连线的电迁移检查结果，ρ为所述金属互连线的电流密度仿真值，ρ_lim为所述金属互连线的所述电流密度约束值。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当确定所述金属互连线的EM%大于1时，确定所述金属互连线的电迁移检查结果为电迁移违规。