[发明专利]一种太阳能电池的栅线结构有效
申请号: | 201410034608.6 | 申请日: | 2014-01-25 |
公开(公告)号: | CN103762252A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 张会明;魏青竹;连维飞;保罗;陆银川;蒋文杰 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种电极栅线结构,具体的说,是涉及一种太阳能电池的栅线结构。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,又叫光伏器件,主要有晶体硅电池和晶砷化镓电池等。
而在晶体硅太阳能电池中,电极栅线的作用非常重大,其充当收集光生载流子的作用;同时,电极栅线也遮住了部分太阳光,削弱了光电转化效应。
目前,电极栅线在制作时,由于导电银浆含有有机物、玻璃粉等成分,使其具有流体特性,在印刷后会出现晕染现象,栅线会向两侧外延,出现外延区域,但该区域并不具备导电作用,反而阻碍了太阳光的吸收,使光电转换效率降低,影响了整个太阳能电池的发电效果。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种缓解栅线向外晕染,同时提高光电转换效率的太阳能电池的栅线结构。
为达到上述目的,本发明的技术方案如下:一种太阳能电池的栅线结构,所述栅线结构印制于所述太阳能电池的负极表面,所述栅线结构包括主栅和与连接所述主栅的细栅,所述细栅与所述主栅垂直相交;沿所述细栅宽度方向,其两侧边缘的内侧分别设置有防止所述细栅向两外侧晕染的若干阻挡模块,所述阻挡模块为以所述细栅的边缘为底边,再向所述细栅中部凸出的圆弧凸起。
进一步地,沿所述细栅长度方向,两侧所述圆弧凸起相对称设置。
进一步地,同一侧的圆弧凸起等距间隔设置。
进一步地,所述圆弧凸起的形状为半圆形。
进一步地,位于所述细栅的同一侧上,每两个所述圆弧凸起的间距范围为5-15μm。
进一步地,所述圆弧凸起底边的宽度范围为5-15μm。
进一步地,位于所述细栅两侧相对称的两圆弧凸起的顶点间的间距范围为25-55μm。
采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:阻挡模块的设置,使得细栅在印制的过程中,向外晕染的制线银浆被阻挡,不会下漏,大大缓解甚至避免了制线银浆向外晕染的现象,不会阻挡太阳光线的吸收,提高了光电转化效率;同时,将阻挡模块设置为以细栅的边缘为底边,再向细栅中部凸出的圆弧凸起,与栅线的均匀特性相符,更加提高了阻挡效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案,下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种太阳能电池的栅线结构的结构示意图;
图2为图1中A处的局部放大图;
图3为图2中B处的局部放大图。
其中,1、主栅,2、细栅,3、阻挡模块。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1-3所示,一种太阳能电池的栅线结构,栅线结构印制于太阳能电池的负极表面,栅线结构包括主栅1和与连接主栅1的细栅,细栅2与主栅1垂直相交;沿细栅2宽度方向,其两侧边缘的内侧分别设置有防止细栅2向两外侧晕染的若干阻挡模块3,阻挡模块3为以细栅2的边缘为底边,再向细栅2中部凸出的圆弧凸起。
沿细栅2长度方向,两侧圆弧凸起相对称设置;同一侧的圆弧凸起等距间隔设置。
在印制栅线时,向外晕染的制线银浆被阻挡,不会下漏,不会晕染到栅线的外侧。
实施例2
其余与上述实施例相同,不同之处在于,圆弧凸起的形状为半圆形。
实施例3
其余与实施例1相同,不同之处在于,细栅2的宽度为35μm,位于细栅2的同一侧上,每两个圆弧凸起的间距为5μm,圆弧凸起底边的宽度为5μm,位于细栅2两侧相对称的两圆弧凸起的顶点间的间距为25μm。
实施例4
其余与实施例1相同,不同之处在于,细栅2的宽度为60μm,位于细栅2的同一侧上,每两个圆弧凸起的间距为10μm,圆弧凸起底边的宽度为10μm,位于细栅两侧相对称的两圆弧凸起的顶点间的间距为40μm。
实施例5
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司,未经中利腾晖光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410034608.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的