[发明专利]谐振式换能器及其制造方法

权利要求书

1.一种谐振式换能器，其包括：

谐振器；

谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；

固定电极；其布置在所述谐振器的附近；

绝缘体和掩埋部分形成在所述固定电极和所述谐振器电极之间，所述绝缘体和所述掩埋部分与真空室接触，所述掩埋部分中掺杂有杂质并且与基准电位连接，其中所述掩埋部分由多晶硅制成或者由能够耐氢氟酸或氟化氢的蒸汽的材料制成；

其中所述谐振器、所述谐振器电极和所述固定电极被利用同一有源层形成在衬底上。

2.一种谐振式换能器，其包括:

谐振器；

谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；

固定电极；其布置在所述谐振器的附近；

外围电极，其布置在所述谐振器电极和固定电极的外围；和

绝缘体和掩埋部分形成在任意电极之间，所述绝缘体和所述掩埋部分与真空室接触，其中所述掩埋部分由多晶硅制成或者由能够耐氢氟酸或氟化氢的蒸汽的材料制成；

其中所述谐振器、所述谐振器电极、所述固定电极和所述外围电极被利用同一有源层形成在衬底上。

3.根据权利要求1或2所述的谐振式换能器，其中所述材料是SiC、SiGe或DLC中的任意一种。

4.一种制造谐振式换能器的方法，所述谐振式换能器包括：谐振器；谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；和固定电极，其布置在所述谐振器的附近，其中所述谐振器、所述谐振器电极和所述固定电极被利用同一有源层形成在衬底上，所述制造方法包括：

在所述固定电极和所述谐振器电极之间的部分中掩埋多晶硅，所述多晶硅的掩埋部分掺杂有杂质并且与基准电位连接；和

蚀刻牺牲层以释放所述谐振器。

5.一种制造谐振式换能器的方法，所述谐振式换能器包括：谐振器；谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；固定电极，其布置在所述谐振器的附近；和外围电极，其布置在所述谐振器电极和所述固定电极的外围，其中所述谐振器、所述谐振器电极、所述固定电极和所述外围电极被利用同一有源层形成在衬底上，所述制造方法包括：

在任意电极之间的部分中掩埋多晶硅，所述多晶硅的掩埋部分掺杂有杂质并且与基准电位连接；和

蚀刻牺牲层以释放所述谐振器。