[发明专利]用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法。

背景技术

在进行晶片背面研磨制程时，首先需要利用贴胶机在晶片101表面贴一层保护胶102（如图1所示），该保护胶102能够在接下来的背面研磨和旋转刻蚀制程中，保护晶片101表面不受损害，在背面减薄研磨制程结束后，再利用撕胶机除去晶片表面的保护胶102。

如图2所示，在撕胶时，撕胶机利用支撑轴103来确保撕胶胶带104紧密粘合住保护胶102的背面，将保护胶102撕离晶片101表面。

通常情况下，如果使用粘度较高的保护胶会获得更好的晶片表面保护效果，但是在撕胶时，粘度较高的保护胶却不容易被除去，这就增加了废片率且影响了设备的正常使用时间。相反地，如果使用粘度较低的保护胶，例如UV保护胶，这种保护胶在撕胶时比较容易被清除干净，但是在背面研磨制程中，晶片表面容易受到划伤，且在旋转刻蚀制程中，晶片表面容易受到酸液的腐蚀。

因此，一般还是会选择粘度较高的保护胶，那么就要想办法提高撕胶的成功率。

撕胶过程都是从晶片缺口部开始进行，在撕胶之前，撕胶机首先要检测晶片缺口105位置，确定了缺口位置后，撕胶机使用支撑轴103，将撕胶胶带104从缺口105位置处开始粘合住保护胶102，将保护胶102撕离晶片101表面。

为了确保撕胶机检测到晶片缺口105位置，在贴胶过程结束后，背面研磨和旋转刻蚀制程开始之前，需要对晶片缺口105处的保护胶102进行切割，传统的切割方法有以下两种：

1、如图3所示，将晶片缺口处的保护胶完全切除；

2、如图4所示，不切割，完全保留晶片缺口处的保护胶。

对于第一种方法，如果使用粘度较高且较厚的保护膜，则撕胶过程容易失败。对于第二种方法，撕胶机很难检测到晶片缺口位置，并发出警报。

发明内容

本发明提供的一种用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法，确保了可以使用粘度较高且较厚的保护膜来保护晶片表面，在降低了废片率的基础上又提高了撕胶的成功率。

为了达到上述目的，本发明提供一种用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法，所述的晶片背面减薄研磨制程包含以下步骤：

步骤1、利用贴胶机在晶片表面贴一层保护胶；

步骤2、对晶片缺口处的保护胶进行切割；

步骤3、对晶片进行背面研磨和旋转刻蚀制程；

步骤4、利用撕胶机除去晶片表面的保护胶；

所述的步骤2中，该保护胶切割方法没有将晶片缺口处的保护胶全部切除，保留了部分缺口处的保护胶。

所述的步骤2中，晶片缺口处保留的保护胶的侧边与晶片缺口的其中一边的夹角为α，α的范围为10°～25°。

本发明还提供一种用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法，该保护胶切割方法在贴胶制程之后，背面研磨和旋转刻蚀制程之前进行，该保护胶切割方法没有将晶片缺口处的保护胶全部切除，保留了部分缺口处的保护胶。

晶片缺口处保留的保护胶的侧边与晶片缺口的其中一边的夹角为α，α的范围为10°～25°。

本发明确保了可以使用粘度较高且较厚的保护膜来保护晶片表面，在降低了废片率的基础上又提高了撕胶的成功率。

附图说明

图1是贴了保护膜的晶片结构示意图。

图2是撕胶过程的示意图。

图3是将晶片缺口处的保护胶完全切除的示意图。

图4是完全保留晶片缺口处的保护胶的示意图。

图5是本发明提供的晶片缺口处保护胶切割方法的示意图。

图6是图5中A部的放大示意图。

具体实施方式

以下根据图5和图6，具体说明本发明的较佳实施例。

晶片的背面减薄研磨制程包含以下步骤：

步骤1、利用贴胶机在晶片表面贴一层保护胶；

步骤2、对晶片缺口处的保护胶进行切割；

步骤3、对晶片进行背面研磨和旋转刻蚀制程；

步骤4、利用撕胶机除去晶片表面的保护胶。

如图5所示，本发明提供一种用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法，该方法在贴胶制程之后，背面研磨和旋转刻蚀制程之前进行，该保护胶切割方法并没有将晶片缺口105处的保护胶102全部切除，而是保留了部分缺口处的保护胶。

如图6所示，晶片缺口处保留的保护胶的侧边与晶片缺口的其中一边的夹角为α，α的范围为10°～25°。