[发明专利]基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs光电阴极

权利要求书

1.一种基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：该光电阴极是由高质量P型GaAs(100)衬底(1)、过渡层(2)、p-GaAlAs缓冲层(3)、p型GaAs发射层(4)以及Cs／O激活层(5)组成；所述连接衬底层和p-GaAlAs缓冲层之间的过渡层由m个变In的外延材料构成的单元层组成，m的取值范围为1≤m≤20，在每个单位层中In的组分是逐渐减少的；所述p型GaAs发射层采用电场减少型的对数掺杂结构。

2.根据权利要求1所述的基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：所述过渡层(2)采用变In组分的外延材料。

3.根据权利要求1所述的基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：所述过渡层(2)的层数控制在1到20层之间。

4.根据权利要求1所述的基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：所述发射层(4)的掺杂浓度按照N(x)＝N₀log_a^Ax，(0＜a＜1)规律变化。

5.根据权利要求1所述的基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：所述发射层(4)的厚度选择为8μm。

6.根据权利要求1所述的基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs的光电阴极，其特征在于：所述发射层(4)的掺杂浓度控制在1×10²¹cm^-3以内。