[发明专利]用于光刻掩模版的快速交换装置有效
申请号: | 201410009171.0 | 申请日: | 2009-04-14 |
公开(公告)号: | CN103713475A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | R·G·M·兰斯博根;G·H·哈罗德;R·J·约翰森;H·J·G·范德维登 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 模版 快速 交换 装置 | ||
本申请是申请日为2009年04月14日、申请号为200980113525.3、发明名称为“用于光刻掩模板的快速交换装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。
背景技术
光刻术被广泛地公认为制造集成电路(IC)以及其它器件和/或结构中的关键工艺。光刻设备是在光刻过程中一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。在用光刻设备制造集成电路(IC)期间,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地,经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层上。通常,单个衬底包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同层通常需要用不同的掩模版使不同的图案在不同的层上成像。因此,必须在光刻工艺期间更换掩模版。
市场要求光刻设备尽可能快速地执行光刻工艺,以最大化制造能力且保持每一器件的成本低。因此,优选地,在光刻工艺期间改变掩模版,花费至少可能的时间。不幸的是,传统的掩模版交换装置未被设计以在真空环境中起作用,其被设计成在真空环境中起作用的这些不足够快速。它们也易于出现真空密封问题且具有大量的轴承,上述两者导致了脱气和颗粒污染物的进一步的问题。颗粒污染物导致浪费生产能力、时间和材料的制造缺陷。脱气可能污染透镜,其降低了有效的曝光功率和降低了生产率或完全地破坏了透镜。这种浪费降低了铸造效率,且增加了制造费用。
发明内容
期望提供一种掩模版交换装置和器件制造方法,其解决在真空光刻术系统中以最小的颗粒产生和脱气来实现掩模版快速交换的问题。
根据本发明的一个方面,提供了一种用于快速地交换光刻掩模版的方法。可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置成距离RED的旋转轴线具有基本上相等的距离。
附图说明
现在参照随附的示意性附图,仅以举例的方式,描述本发明的实施例,其中,在附图中相应的附图标记表示相应的部件,且其中:
图1示出了根据本发明的实施例的光刻设备。
图2A示出了根据本发明的实施例的双臂型可旋转的交换装置的俯视图。
图2B示出了根据本发明的实施例的可旋转的交换装置的侧视图。
图2C示出了根据本发明的实施例的具有支撑件的可旋转交换装置的侧视图。
图2D-E示出了根据本发明的实施例的双臂型可旋转交换装置的俯视图。
图3A-D示出了根据本发明的实施例的三臂型可旋转交换装置的俯视图。
图4示出了根据本发明的实施例的方法。
图5示出了根据本发明的实施例的另一方法。
图6A-G示出了根据本发明的实施例的可旋转交换装置的示例性动态操作。
现在将参考附图对本发明的一个或更多的实施例进行描述。在附图中,相同的参考标记可以表示一致的或功能上类似的元件。另外,参考数字最左边的数字可以表明参考标记首次出现的附图。
具体实施方式
本发明的说明书公开了包括这一发明的特征的一个或更多的实施例。公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于公开的实施例。本发明由随附的权利要求来限定。
描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“一种实施例”、“一个示例性实施例”等的参考,表示描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性,但是每一实施例不必包括特定的特征、结构或特性。此外,这样的措辞不必表示同一实施例。另外,当特定的特征、结构或特性结合实施例进行描述时,可以理解,不论是否结合其它实施例详细描述实现这样的特征、结构或特性,它们都在本领域技术人员的知识范围内。
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