[其他]半导体激光器模块有效
申请号: | 201390000441.0 | 申请日: | 2013-02-15 |
公开(公告)号: | CN204205281U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 早水尚树;石毛悠太;木村俊雄 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;G02B6/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谢顺星;张晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种对纤维具有良好耦合效率的半导体激光器模块。
背景技术
以往,存在将由多个半导体激光器输出的光耦合至光纤的半导体激光器模块。作为这样的半导体激光器模块是指,例如,在高度方向上将多个激光器、与此对应的透镜及反射镜配置为多层,并具有耦合光纤的激光二极管组件(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第7733932号公报
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
图11是表示现有的半导体激光器模块100的概略图。此外,图11是封装件103的上面以及图中靠前侧(靠近看图者的那一侧)壁部透视的图。半导体激光器模块100主要由封装件103、半导体激光器105、透镜107、109、113、反射镜111、光纤115等构成。
封装件103的底部以高度逐渐增高的方式形成为台阶状。各台阶上部形成为半导体激光器设置面117。在各半导体激光器设置面117上设置半导体激光器105。
在半导体激光器105的前方(射出方向)配置透镜107。另外,并且在其更前方配置透镜109。通过透镜107、109,从半导体激光器105射出的光的纵向以及横向分别得以准直。
这样,准直好的光用反射镜111反射,大致垂直地改变其方向。此外,对每个半导体激光器105配置透镜107、109、反射镜111,并且它们配置在同一个半导体激光器设置面上。进而,由各反射镜111反射的光通过透镜113聚光,耦合至光纤115。
图12(a)是半导体激光器105的射出方向上的侧视图,是图11的V-V剖视图。如前所述,从各半导体激光器105(未图示)射出的激光119通过反射镜111反射。即,由各半导体激光器105射出的激光119分别在不同高度上射出,通过配置在不同高度上的反射镜111反射。通过透镜113对这些不同高度的激光119进行聚光,能够耦合至光纤115。
图12(b)是此时的反射镜111附近的放大图。用下层台阶侧(图中左侧)以及上层台阶侧(图中右侧)的各反射镜111反射激光119。此处,反射镜111的高度(图中Y)大致为1000μm左右,半导体激光器设置面117的台阶差的高度(图中W)大致为300μm。因此,在反射镜上激光119能够照射的区域的高度为300μm。另外,激光119的高度(图中X)大约为250μm。因此,为了使激光119全部照射在反射镜111,且不使反射后的激光119照射到下层台阶的反射镜,反射镜111在上下只有25μm程度的富余。
此处,反射镜111是通过粘接剂等固定在半导体激光器设置面117上。因此,反射镜111在上下方向上只以粘接剂的固定精度+20μm、-5μm进行移动。另外,作为反射镜111的加工精度,具有±30μm程度的公差。因此,如果偏向粘接剂厚度波动和反射镜的加工精度大的一方,则存在下层台阶侧的反射镜111比设计值向上方突出50μm的情况。
这样,如果下层台阶侧的反射镜111向上方突出,则用上层台阶侧的反射镜111反射的激光119的一部分有可能在下层台阶侧的反射镜111处被遮挡(图中箭头Z)。即,有可能使激光119的一部分没有向光纤115方向反射。
但是,使下层台阶侧的反射镜111进一步向下方移动比较困难。另外,如果严格设置反射镜111的尺寸精度,则会增加成本。另外,在缩小反射镜111的尺寸的情况下,如前所述,相对于激光119的尺寸的富余将进一步变小,反射全部激光119变得困难。另外,在增大台阶差高度的情况下,由于激光119在高度方向上的差增大,因此需要更大的透镜113,同时使向光纤115的聚光变得困难。
由于本实用新型就是鉴于上述问题而完成的,因此其目的在于提供一种由反射镜可靠地反射激光,并与光纤耦合效率优异的半导体激光器模块。
(二)技术方案
为了实现上述目的,本实用新型作为一种半导体激光器模块,其特征在于,具备多个半导体激光器、多个反射镜及聚光透镜,所述多个反射镜分别反射由多个所述半导体激光器射出的激光,所述聚光透镜对由所述反射镜反射的各束激光进行聚光,并耦合至光纤,多个所述半导体激光器分别配置在高度相互不同的半导体激光器设置面上,多个所述反射镜相互高度变化地粘合在相对所述半导体激光器设置面大致垂直的立面上。
优选地,所述立面为与所述半导体激光器的射出面相对的面。
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