[其他]电子元器件有效

专利信息
申请号: 201390000230.7 申请日: 2013-01-16
公开(公告)号: CN204013427U 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 增田博志 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H7/01 分类号: H03H7/01;H03H7/075;H03H7/09
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 俞丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子元器件
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电子元器件,特别涉及具备由线圈和电容器构成的谐振器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件,例如,已知有专利文献1所记载的电子元器件。图9是专利文献1所记载的电子元器件500的外观立体图。图10是专利文献1所记载的电子元器件500的立体图。在图9及图10中,将层叠体502的层叠方向定义为y轴方向,在从y轴方向进行俯视时,将长边延伸的方向定义为x轴方向,将短边延伸的方向定义为z轴方向。

如图9及图10所示,电子元器件500包括层叠体502、外部电极504a~504c、线圈导体506、512、电容器导体508、510、514、连接导体516a、516b、及通孔导体v500。

层叠体502由多个绝缘体层沿y轴方向排列的方式进行层叠而构成,呈长方体状。外部电极504a、504b设置于层叠体502的y轴方向的负方向侧的面。外部电极504c设置于层叠体502的y轴方向的正方向侧的面。

连接导体516a设置于层叠体502的z轴方向的正方向侧的面,连接外部电极504b、504c。连接导体516b设置于层叠体502的z轴方向的负方向侧的面,连接外部电极504b、504c。

线圈导体506、512为相同形状,是沿x轴方向延伸的现状导体。线圈导体506在层叠体502内设置在相比线圈导体512更靠近y轴方向的负方向侧。

通孔导体v500沿y轴方向延伸,与外部电极504a及线圈导体506、512相连接。由此,线圈导体506、512通过通孔导体v500与外部电极504a相连接。

电容器导体508、514为相同形状,为长方形的导体。电容器导体508、514相互相对。另外,电容器导体508、514分别与线圈导体506、512的x轴方向的负方向侧的端部相连接。而且,电容器导体508、514与连接导体516a相连接。由此,电容器导体508、514通过连接导体516a与外部电极504b、504c相连接。

电容器导体510设置在电容器导体508、514之间,与电容器导体508、514相对。另外,电容器导体510与连接导体516b相连接。由此,电容器导体510通过连接导体516b与外部电极504b、504c相连接。

在采用上述结构的电子元器件500中,将外部电极504a用作输入端子,将外部电极504b、504c用作接地端子。由此,在外部电极504a和外部电极504b、504c之间形成线圈和电容器并联连接的并联谐振器。

在将专利文献1所记载的电子元器件500安装到电路基板时,使用层叠体502的z轴方向上的负方向侧的面作为安装面。电容器导体508、510、514相对于安装面垂直,因此相对于电路基板的主面也垂直。因此,电容器导体508、510、514相对于设置于电路基板的连接盘电极也垂直。其结果是,形成在电容器导体508、510、514和连接盘电极之间的静电电容减小,能抑制电子元器件500的并联谐振器的特性偏离所希望的特性。

但是,在电子元器件500中,电容器导体508、510、514通过连接导体516a、516b与外部电极504b、504c相连接。连接导体516a、516b具有电感分量。因此,专利文献1所记载的电子元器件500存在以下问题:即,在并联谐振器中,在电容器和外部电极504b、504c之间会产生不需要的电感分量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2007-325046号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

因此,本实用新型的目的在于提供一种能够抑制不需要的电感分量的电子元器件。

解决技术问题所采用的技术方案

本实用新型的实施方式的电子元器件的特征在于,包括:层叠体,该层叠体由多层绝缘体层层叠而构成,具有由该多层绝缘体层的外缘相连而构成的安装面;谐振器,该谐振器设置于所述层叠体且由线圈及电容器构成;以及第一外部电极,该第一外部电极设置于位于所述层叠体的层叠方向的一侧的第一面,所述电容器由所述第一外部电极、及与该第一外部电极隔着所述绝缘体层相对的电容器导体构成。

实用新型效果

根据本实用新型,能抑制不需要的电感分量的产生。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是实施方式1所涉及的电子元器件的分解立体图。

图3是实施方式1所涉及的电子元器件的剖视结构图。

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