[发明专利]不平行岛蚀刻

说明书

背景技术

目前，各种材料去除技术被用于形成微机电(MEM)和其他器件中的沟道、空腔和其 他结构。现有的材料去除技术可能缓慢、昂贵且难于控制。

附图说明

图1是示例过滤器的截面图。

图2是用于形成图1的过滤器的示例方法的流程图。

图3是示出根据图2的方法形成图1的过滤器的透视图。

图4是示例导流器的截面图。

图5是用于形成图6的过滤器的形成在衬底的不平行表面上的蚀刻岛的透视图。

图6是另一个示例过滤器的透视图。

图7是用于形成图9的过滤器的示例方法的流程图。

图8是示出在衬底内形成蚀刻控制器和在衬底的不平行面上形成蚀刻岛的衬底的 截面图。

图9是根据图7的方法形成的示例过滤器的截面图。

图10是示例导流器的截面图。

图11是用于整体封装蚀刻岛的示例方法的流程图。

图12是具有根据图11的方法封装的蚀刻岛的示例整体的截面图。

图13是图12的整体的俯视平面图。

图14是根据图11的方法形成的另一个示例整体的截面图。

具体实施方式

图1是示出示例过滤器20的截面图。如此后描述，过滤器20非常适合于用作小尺寸 过滤器机构。过滤器20包括衬底22、过滤通道24、26和金属蚀刻岛34、36。

衬底22包括具有与金属岛34、36反应的属性的材料层或材料块，以使在具有沉积 于其上的金属蚀刻岛34、36的衬底被暴露至溶液时金属蚀刻岛34、36蚀刻到衬底22内。在一 个实施方式中，衬底22具有与针对金属辅助化学蚀刻被配置的金属岛34、36反应的属性。在 一个实施方式中，衬底22包括硅、多晶硅、硅锗、氮化物和氧化物、聚合物、陶瓷、金属、(元素 周期表中的)III-V族材料或其组合。

虽然被示出为块，但是衬底22可以包括层或任意其他结构。衬底22可以包括用于 微机电(MEM)器件、打印头或其他器件的结构。虽然衬底22被示出为单个块或层，但是衬底 22可以包括彼此定位或结合的一个或多个层或块。例如，衬底22可以包括彼此接合的多个 衬底，其中多个衬底可以具有相同或不同的晶向。

过滤通道24、26包括分别从衬底22的不平行面或表面42、44延伸至衬底22内的多 孔通道。过滤通道24、26过滤诸如液体和气体的流体并且可以提供两相流过滤。在示出的示 例中，过滤通道24、26从彼此垂直的表面42、44延伸至衬底22内。在其他实施方式中，表面 42、44可以相对彼此而倾斜。

在示出的示例中，过滤通道24、26彼此相交以形成在表面42上具有入口28和在表 面44上具有出口30的连续弯曲或转向的过滤路径49。结果，过滤器20不仅过滤流体流而且 使流体流的方向改变。在一些实施方式中，因为通道49在衬底22内弯曲或转向，所以过滤路 径49的部分具有在衬底22的第一方向或第一维度上延伸的中心线，而通道29的其他部分具 有在衬底22的第二方向或第二维度上延伸的中心线。结果，与过滤面简单地从衬底22的一 侧延伸至另一个相对侧相比，过滤路径49可以具有更长的总长度。因为过滤路径49具有更 长的总长度，所以过滤路径49可以以更紧凑的空间节约方式提供更好的过滤。

在示出的示例中，过滤通道24、26中每一个的一端是密闭的，其在衬底22内的封闭 端部分50处终止，其中衬底22的封闭端部分50在通道24、26中的每一个的线性端处形成盖 帽。虽然被示出为延伸经过并横跨彼此，但是在其他实施方式中，过滤通道24、26可以分别 在过滤通道24、26中的另一个内或内部终止。在这些实施方式中，因为过滤路径24、26在衬 底22内终止，而不是完全延伸穿过衬底22，所以衬底22提供关于整体过滤路径49的更好的 结构完整性和稳定性。在又一个实施方式中，过滤通道24、26中的一个或两个可以替代性地 延伸完全穿过衬底22。在一些实施方式中，这些过滤通道24、26的开口端可以被密封、覆盖 或堵塞，以引导进入入口28的全部流体流穿过出口30。