[发明专利]不平行岛蚀刻

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底的第一面和所述衬底的与所述第一面不平行的第二面上形成蚀刻岛；以及

将所述衬底的所述第一面和所述第二面同时暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以同时 形成延伸到所述第一面和所述第二面内的多孔区域。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在与所述第一面不平行且与所述第二面不平行的第三面上形成蚀刻岛；以及

将所述衬底的所述第一面、所述第二面和所述第三面同时暴露至与所述蚀刻岛反应的 所述溶液，以同时形成延伸到所述第一面、所述第二面和所述第三面内的多孔区域。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述多孔区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔区域包括互连孔隙。

5.根据权利要求4所述的方法，包括将延伸到所述第一面内的多孔区域与延伸到所述 第二面内的多孔区域互连，以形成穿过所述衬底的过滤通道。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成在所述第一面上的蚀刻岛在被暴露至所述溶 液时具有第一蚀刻速率，并且其中形成在所述第二面上的蚀刻岛在被暴露至所述溶液时具 有与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底内形成蚀刻控制器，所述蚀刻 控制器用于在与所述衬底内的所述蚀刻岛相互作用时调节所述蚀刻岛的蚀刻速率。

8.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻控制器包括蚀刻阻滞剂。

9.根据权利要求10所述的方法，其中在所述衬底内形成蚀刻控制器包括：对所述衬底 进行掺杂。

10.根据权利要求1所述的方法，包括将所述衬底沉入所述溶液内。

11.一种方法，包括：

在衬底上形成导电金属的蚀刻岛；

将所述衬底暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以使所述蚀刻岛蚀刻进所述衬底内，以 在所述衬底中形成掩埋金属化区域；以及

封装所述掩埋金属化区域。

12.一种装置，包括：

衬底；

从所述衬底的第一面延伸进所述衬底内的孔隙的第一区域；

从所述衬底的与所述第一面不平行的第二面延伸进所述衬底内的孔隙的第二区域；

位于所述孔隙的第一区域和第二区域内的金属岛。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述金属岛被封装在所述第一区域和所述第二 区域内。

14.根据权利要求12所述的装置，进一步包括从所述衬底的与所述第一面不平行且与 所述第二面不平行的第三面延伸进所述衬底内的孔隙的第三区域。

15.根据权利要求12所述的装置，其中所述孔隙的第一区域延伸进所述第一面内至第 一深度，并且其中所述孔隙的第二区域延伸进所述第二面内至不同于所述第一深度的第二 深度。