[发明专利]具有冷却和吸音器件的电气壳体有效

专利信息
申请号: 201380077431.1 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN105393416B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: C-O.奧斯森;P.约翰逊 申请(专利权)人: ABB技术有限公司
主分类号: H02B1/56 分类号: H02B1/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 严志军,肖日松
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 冷却 吸音 器件 电气 壳体
【权利要求书】:

1.一种用于包封能够连接于电功率系统的至少一个中压和/或高压单元(304)的设备(302; 402; 502; 602; 702; 902),各个单元包括一个或多个电气构件(306),并且在操作期间生成热作为副产物,其中所述设备包括壳体(310; 410; 510; 610; 710; 910),其包括收纳用于保持所述单元的座(314; 414; 514; 614; 914)的主室(312; 412; 512; 612; 712; 912),所述主室布置成收纳所述单元,其中所述壳体包括所述壳体的上部(317; 417; 517; 617; 717; 917)处的至少一个气体离开开口(316; 416; 516; 616; 916)和至少一个气体进入开口(318; 418; 518; 618; 918),其中所述壳体包括设有所述至少一个气体离开开口的吸音气体离开室(320; 420; 520; 620; 720; 920),其中所述壳体包括设有所述至少一个气体进入开口(318; 418; 518; 618; 918)的吸音气体进入室(322; 422; 522; 622; 922),其中第一自由热对流路径经由所述气体进入室(322; 422; 522; 622; 922),经由所述主室(312; 412; 512; 612; 712; 912),并且经由所述气体离开室(320; 420; 520; 620; 720; 920)在所述壳体(310; 410; 510; 610; 710; 910)内设在所述至少一个气体进入开口与所述至少一个气体离开开口(316; 416; 516; 616; 916)之间,以便提供冷却,其中所述气体离开室(320; 420; 520; 620; 720; 920)和所述气体进入室(322; 422; 522; 622; 922)中的各个收纳至少一个吸音部件(324; 424; 524; 624; 724; 924),其至少部分由用于吸收操作期间由所述单元产生的声音的吸音材料制成,其中所述气体离开室和所述气体进入室中的至少一个具有至少一个导热壁(326; 426; 526, 527; 626; 726, 727; 926, 927)和设在所述至少一个吸音部件与所述导热壁之间的至少一个自由空间(328; 428; 528; 628; 728, 729; 928),使得所述第一自由热对流路径经由所述至少一个自由空间在所述壳体内设在所述至少一个气体进入开口与所述至少一个气体离开开口之间,其中所述导热壁加热在所述至少一个自由空间中流动且穿过所述至少一个自由空间的所述气体或气体混合物。

2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一个气体离开开口(316; 416; 516; 616; 916)在所述单元置于所述座(314; 414; 514; 614; 914)中时位于高于所述单元(304)的高度处。

3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一个导热壁(326)包括位于所述气体离开室(320)与所述主室(312)之间的导热第一壁(326),所述第一壁为所述主室和所述气体离开室的壁,并且所述至少一个自由空间(328)在所述气体离开室中设在所述至少一个吸音部件(324)和所述第一壁之间,使得所述第一自由热对流路径经由所述至少一个自由空间在所述壳体(310)内设在所述至少一个气体进入开口与所述至少一个气体离开开口之间。

4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第一壁(326)为所述壳体(310)的上部(317)处的上壁。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其特征在于,所述至少一个导热壁(626)包括位于所述气体进入室(622)与所述主室(612)之间的导热第二壁(626),所述第二壁为所述主室和所述气体进入室的壁,并且所述至少一个自由空间(628)在所述气体进入室中设在所述至少一个吸音部件(624)与所述第二壁之间,使得所述第一自由热对流路径经由所述至少一个自由空间在所述壳体内设在所述至少一个气体进入开口与所述至少一个气体离开开口之间。

6.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第一壁(326)具有面对所述单元的第一表面(330;630),并且所述第一表面的发射率在0.7到1之间。

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