[发明专利]粒子射线治疗装置及剂量校正系数的设定方法有效

专利信息
申请号: 201380077190.0 申请日: 2013-06-06
公开(公告)号: CN105263577B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 原田久;池田昌广;高桥理;伊奈信彦;蒲越虎;岩田高明 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: A61N5/10 分类号: A61N5/10;G01T7/00;G21K5/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈力奕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 粒子 射线 治疗 装置 剂量 校正 系数 设定 方法
【权利要求书】:

1.一种粒子射线治疗装置,根据从体表起算的深度将照射对象分割为多个层,按每一层对照射剂量进行管理来进行照射,该粒子射线治疗装置的特征在于,包括:

照射装置,该照射装置按所述每一层对由加速器提供的粒子射线进行成形并进行照射;

剂量监视器,该剂量监视器设置于所述照射装置,实时地对剂量进行测量;

剂量评价部,该剂量评价部使用按所述每一层所设定的剂量校正系数(αi、βi),计算出从所述剂量监视器所测量出的测量值(Ci)提供给所述照射对象的照射剂量,基于所计算出的剂量是否达到了治疗计划所设定的剂量,来对所述每一层的照射剂量进行评价;

照射控制装置,该照射控制装置基于所述剂量评价部的评价结果来控制所述每一层的照射量;以及

插补值生成部,该插补值生成部使用通过对设置有校正剂量计的模拟体模照射所述粒子射线而获得的实际测量剂量校正系数(αi),至少对无法获得所述实际测量剂量校正系数(αi)的层生成所述剂量校正系数(αi、βi)的插补值(βi)或推测值,

所述插补值生成部对于成为所述插补值(βi)或推测值的对象的每一层,基于该层的照射条件来进行每一个所述实际测量剂量校正系数(αi)的加权。

2.如权利要求1所述的粒子射线治疗装置,其特征在于,

在生成与所述深度为规定值以上的层相对的插补值(βi)或推测值时,所述插补值生成部进行所述加权,使得在所述实际测量剂量校正系数(αi)中,较深的层的实际测量剂量校正系数(αi)的权重比较浅的层的实际测量剂量校正系数(αi)的权重要大。

3.如权利要求1所述的粒子射线治疗装置,其特征在于,

所述照射装置中设有对所述粒子射线的能量进行调整的射程移位器,

所述插补值生成部基于从所述加速器射出的粒子射线的能量、所述射程移位器的厚度和材质中的至少一个条件,来进行所述加权。

4.如权利要求2所述的粒子射线治疗装置,其特征在于,

所述照射装置中设有对所述粒子射线的能量进行调整的射程移位器,

所述插补值生成部基于从所述加速器射出的粒子射线的能量、所述射程移位器的厚度和材质中的至少一个条件,来进行所述加权。

5.如权利要求1至4的任一项所述的粒子射线治疗装置,其特征在于,

所述照射装置中设有扩大所述粒子射线的照射野的直径的摇摆电磁体,

所述插补值生成部基于所述扩大后的直径来进行所述加权。

6.一种剂量校正系数的设定方法,该剂量校正系数(αi、βi)的设定方法用于在根据从体表起算的深度将照射对象分割为多个层、并按每一层对照射剂量进行管理并进行照射的粒子射线治疗中,使用设置于照射装置的剂量监视器的测量值(Ci),来计算出所述照射对象处的剂量,该剂量校正系数的设定方法的特征在于,包括:

获得实际测量剂量校正系数的工序,在该获得实际测量剂量校正系数的工序中,对设置有校正剂量计的模拟体模照射粒子射线,基于所述剂量监视器的测量值(Ci)和所述校正剂量计的测定值,获得将所述校正剂量计的所述模拟体模内的深度作为参数的实际测量剂量校正系数(αi);以及

插补值生成工序,在该插补值生成工序中,基于所述实际测量剂量校正系数(αi),构建以所述深度作为变量的所述剂量校正系数(αi、βi)的函数,生成无法获得所述实际测量剂量校正系数(αi)的层所对应的所述剂量校正系数(αi、βi)的插补值(βi)或推测值,

在所述插补值生成工序中,对于成为所述插补值(βi)或推测值的对象的层,基于该层所对应的照射条件来进行每一个所述实际测量剂量校正系数(αi)的加权。

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