[发明专利]电弧等离子体成膜装置

权利要求书

1.一种电弧等离子体成膜装置，其特征在于包括：

成膜腔室，储存作为处理对象的基板；

等离子体腔室，储存靶的至少一部分，且与所述成膜腔室连结；以及

多个中空线圈，在所述靶与所述成膜腔室之间具有至少一处弯曲部以产生连续的磁力线，被包含非磁性金属的外皮覆盖，且配置于所述等离子体腔室内；

利用电弧放电而在所述等离子体腔室内生成的含有源自所述靶材料的离子的等离子体是通过所述多个中空线圈的内侧而从所述靶被输送到所述基板。

2.根据权利要求1所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，在所述中空线圈的内部，配置有：

线圈部，被供给电流；

水冷管，流通冷却水；以及

水冷板，由所述水冷管冷却；且

所述中空线圈的内部由具有导热性的树脂填充。

3.根据权利要求1所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述中空线圈的所述外皮的材料为不锈钢合金、铝合金及铜合金中的任一种。

4.根据权利要求1所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，还包括等离子体电位修正电极，所述等离子体电位修正电极配置于所述中空线圈之间的空间的周围，所述等离子体是通过所述等离子体电位修正电极的内侧而从所述靶被输送到所述基板。

5.根据权利要求4所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体电位修正电极的材料为不锈钢合金、铝合金及铜合金中的任一种。

6.根据权利要求4所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，在与所述靶相向的区域未配置所述等离子体电位修正电极。

7.根据权利要求4所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体电位修正电极的电位为-20V以上且+20V以下。

8.根据权利要求4所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体电位修正电极是配置于所述中空线圈的内侧的等离子体电位修正管。

9.根据权利要求8所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体电位修正管是直管或弯曲管。

10.根据权利要求8所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，还包括缩径板，所述缩径板在周围被所述中空线圈包围的区域内，配置于所述等离子体电位修正管的内部，且在中央部具有供所述等离子体通过的开口部。

11.根据权利要求10所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述缩径板的材料为不锈钢合金、铝合金及铜合金中的任一种。

12.根据权利要求4所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体腔室具有取出窗，所述取出窗用于将所述等离子体电位修正电极取出到外部。

13.根据权利要求1所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，所述等离子体腔室内的所述中空线圈可彼此独立地调整配置。

14.根据权利要求1所述的电弧等离子体成膜装置，其特征在于，配置于所述靶与所述成膜腔室之间的所述中空线圈是以形成镜像磁场的方式而设定。