[发明专利]在非导电性的基底材料上制造导电结构的方法以及用于此的特定添加物和基底材料在审
申请号: | 201380069097.5 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN104884670A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | R.A.克鲁格;B.罗斯纳;W.约翰;A.施努尔;R.奥斯特霍尔特 | 申请(专利权)人: | LPKF激光电子股份公司 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/18;C23C18/20;H05K3/18;C08K3/22;C08K9/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 德国加*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 基底 材料 制造 导电 结构 方法 以及 用于 特定 添加物 | ||
1.在包括具有至少一种金属化合物的添加物(1)的非导电性的基底材料上制造导电结构,特别是印刷电路的方法,其中使用激光照射所述基底材料并由此选择性活化所述添加物(1)中包含的金属化合物,从而在如此激光活化的区域形成催化活性的种晶,随后金属化所述种晶,并由此提供所述非导电性基底材料上的导电结构,其特征在于,所述添加物(1)除通过所述金属化形成的第一区域(2)之外包括至少一具有不同化学组成的第二区域(3),并通过所述激光活化降低所述添加物(1)中的金属的氧化态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化合物形成所述添加物(1)的内核,并且至少部分区段地由所述第二区域(3),特别是由其作为涂层包围。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化合物至少部分区段地由所述第二区域(3)渗透。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化合物至少部分区段地包围所述第二区域(3)。
5.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述添加物(1)至少一个尺寸小于5μm。
6.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述第二区域(3)基本上是有机化合物。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述第二区域(3)基本上是还原的金属化合物。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,涂覆厚度在5nm至2μm之间的第二区域(3)。
9.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,将吸收剂引入所述第二区域(3),所述吸收剂促进用于所述添加物(1)中包含的金属化合物的激光活化的激光能转化。
10.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述添加物(1)中包含的金属化合物是金属氧化物。
11.用于在非导电性的基底材料上制造导电结构的特定的添加物(1),其包含至少一种金属化合物作为第一区域(2),其特征在于,所述添加物(1)包括具有不同的化学组成的第二区域(3),将所述第二区域特别作为所述第一区域(2)的涂层来实施,并且通过激光活化降低所述添加物(1)中的金属的氧化态。
12.用于在根据前述权利要求中至少一项所述的基底材料上制造导电结构,特别是印刷电路的具有添加物(1)的基底材料,其特征在于,所述基底材料包括聚合物、半导体材料、陶瓷、木材和/或玻璃作为主要的材料成分。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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